[发明专利]一种LLC电路的副边同步整流方法

权利要求书

1.一种LLC电路的副边同步整流方法，其中，所述LLC电路包括初级、变压器、次级；初级为全桥电路，包括：直流输入源，第一上MOSFET（Q2A）、第一下MOSFET（Q2B）组成的第一桥臂开关管，第二下MOSFET（Q3A）、第二上MOSFET（Q3B）组成的第二桥臂开关管，由谐振电容（Cr）、谐振电感（Lr）、励磁电感（Lm）组成的LLC谐振槽；所述变压器（T₀）的副边设有中心抽头；次级为由第三上MOSFET（Q4A）、第三下MOSFET（Q5A）、输出滤波电容（C_o）组成的整流电路；其中，串联连接的第一上MOSFET（Q2A）和第一下MOSFET（Q2B）与串联连接的第二下MOSFET（Q3A）和第二上MOSFET（Q3B）并联连接在第一电容（C1）的两端；第一上MOSFET（Q2A）和第一下MOSFET（Q2B）的共同连接点与谐振电感（Lr）的第一端连接；第二下MOSFET（Q3A）、第二上MOSFET（Q3B）的共同连接点与谐振电容（Cr）的第一端连接；励磁电感（Lm）的两端分别连接谐振电感（Lr）的第二端和谐振电容（Cr）的第二端，且励磁电感（Lm）的两端连接变压器（T₀）原边的两端；变压器（T₀）副边的第一端连接第三上MOSFET（Q4A）的漏极，变压器（T₀）副边的第二端连接第三下MOSFET（Q5A）的漏极；第三上MOSFET（Q4A）的源极与第三下MOSFET（Q5A）的源极连接；输出滤波电容（C_o）的两端分别连接第三上MOSFET（Q4A）的源极与变压器（T₀）副边的中心抽头；

所述LLC电路的副边同步整流方法包括：

对变压器副边电流进行采样；

对采样电流进行过零比较；若采样的变压器副边电流大于0，则进一步判断LLC电路的初级的工作状态：

当LLC电路的初级工作状态为状态一：即第一上MOSFET（Q2A）、第二下MOSFET（Q3A）为开通状态，则设定第三上MOSFET（Q4A）开通、第三下MOSFET（Q5A）关断；

当LLC电路的初级工作状态为状态二：即第一下MOSFET（Q2B）、第二上MOSFET（Q3B）为开通状态，则设定第三上MOSFET（Q4A）关断、第三下MOSFET（Q5A）开通；

当采样的变压器副边电流大于0且LLC电路的初级工作状态不属于所述状态一和所述状态二，或者当采样的变压器副边电流不大于0时，则对LLC电路的次级整流电路的第三上MOSFET（Q4A）、第三下MOSFET（Q5A）进行关断。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

MOSFET的开通、关断状态是由其栅源极电压确定的，若其栅源极电压达到开启电压，则为开通状态，若其栅源极电压为关闭电压，则为关断状态。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，设定第三上MOSFET（Q4A）、第三下MOSFET（Q5A）的开通/关断包括：

产生驱动信号，驱动信号经由驱动电路，对第三上MOSFET（Q4A）、第三下MOSFET（Q5A）进行开通和/或关断。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对采样电流进行过零比较，包括：

将采样电流的电流幅值与接近于0的预设值进行比较；

若电流幅值大于所述预设值，则确定采样电流大于0；

若电流幅值小于所述预设值，则确定采样电流小于0。