[发明专利]一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构及其制备方法

权利要求书

1.一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构，包括半导体基底(1)，其特征在于：还包括半导体外延(2)，所述半导体外延(2)中掺杂形成有漂移区(3)，所述漂移区(3)的外侧固定设有源漏注入区(4)，所述半导体外延(2)的另一侧设有体接触注入区(5)，所述半导体外延(2)中具有源漏注入区(4)；

所述半导体外延(2)中具有增强注入区(6)，所述半导体外延(2)的一侧固定设有深扩散区(7)，所述半导体外延(2)和所述深扩散区(7)内形成有活跃埋层(10)和遮蔽埋层(11)，所述半导体外延(2)之上设有多晶硅栅极(8)，所述多晶硅栅极(8)上设有多层场板硅栅极(9)。

2.根据权利要求1所述的一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构，其特征在于：所述深扩散区(7)的一侧边设有若干深连接件(12)，所述体接触注入区(5)的一端内设有深连接件接触注入区(13)。

3.根据权利要求2所述的一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构，其特征在于：所述半导体基底(1)、所述半导体外延(2)、所述漂移区(3)、所述源漏注入区(4)、所述体接触注入区(5)、所述增强注入区(6)、所述深扩散区(7)、所述多晶硅栅极(8)和所述多层场板硅栅极(9)构成RFLDMOS的主要结构；所述活跃埋层(10)、所述遮蔽埋层(11)、所述深连接件(12)和所述深连接件接触注入区(13)构成用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构。

4.根据权利要求1所述的一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构，其特征在于：所述半导体基底(1)和所述半导体外延(2)为掺杂硅基衬底外延，或者为锗、SiC以及其他三五族化合物，掺杂类型为第一半导体类型，所述第一半导体类型为P型半导体；所述半导体基底(1)的掺杂浓度为5.00E19cm-3到1.00E20cm-3范围；所述半导体外延(2)的掺杂浓度为5.00E15cm-3到5.00E16cm-3范围，所述半导体外延(2)的厚度为8.5至12微米；

所述漂移区(3)为5.00E16cm-3到5.00E17cm-3中掺杂浓度范围的第二半导体类型掺杂区域，所述第二半导体类型为N型半导体；所述源漏注入区(4)为5.00E18cm-3到1.00E20cm-3重掺杂浓度范围的第二半导体类型掺杂区域，形成RFLDMOS的源漏接触，所述体接触注入区(5)为5.00E18cm-3到1.00E20cm-3重掺杂浓度范围的第一半导体类型掺杂区域，所述体接触注入区(5)通过金属与所述源漏注入区(4)的源端直接连接，所述增强注入区(6)为5.00E17cm-3到5.00E18cm-3的掺杂浓度范围的第一半导体类型掺杂区域，所述深扩散区(7)为1.00E16cm-3到1.00E20cm-3的掺杂浓度范围的第一半导体类型掺杂区域，所述多晶硅栅极(8)以及选择性地形成RELDMOS的栅极侧墙，所述多层场板硅栅极(9)由钨合金制备，所述多层场板硅栅极(9)与源极短接。

5.根据权利要求3所述的一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构，其特征在于：所述活跃埋层(10)、所述遮蔽埋层(11)、所述深连接件(12)和所述深连接件接触注入区(13)共同构成用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构。