[发明专利]光伏组件及其制备方法有效
申请号: | 202210072955.2 | 申请日: | 2022-01-21 |
公开(公告)号: | CN114597274B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 陶武松;陈振东;刘俊辉 | 申请(专利权)人: | 晶科能源(海宁)有限公司;浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 及其 制备 方法 | ||
本申请实施例涉及太阳能领域,提供一种光伏组件及其制备方法,光伏组件包括:电池串;堆叠的第一封装胶膜以及第二封装胶膜,第一封装胶膜和第二封装胶膜之间具有间隙;光伏组件具有中心区以及环绕中心区的外围区,电池串位于中心区,外围区的第一封装胶膜具有第一通孔,外围区的第二封装胶膜具有第二通孔,且第一通孔与第二通孔正对,第一通孔与第二通孔中的至少一者为贯穿孔;填充结构填充第一通孔和第二通孔,且在层压过程中,形成填充结构的材料的交联固化速度比形成第一封装胶膜的材料的交联固化速度快,形成填充结构的材料的交联固化速度也比形成第二封装胶膜的材料的交联固化速度快。本申请实施例至少有利于提高光伏组件的良率和稳固性。
技术领域
本申请实施例涉及太阳能领域,特别涉及一种光伏组件及其制备方法。
背景技术
光伏组件封装用胶膜是太阳能光伏组件的重要部分,它位于玻璃和电池片或电池片与背板之间,能够对电池片起到密封、绝缘和保护的作用,提高组件长期使用稳定性。
然而,太阳能光伏组件的封装结构在使用过程中存在一定的缺陷,例如,容易使得封装结构与太阳能电池片或电池串之间发生离胶,导致太阳能光伏组件稳定性差,影响太阳能电池组件的正常使用;此外,目前在对太阳能电池片或电池串进行封装的过程中,不能对太阳能电池片或电池串进行快速定位,不便于太阳能电池片或电池串的快速封装,使得太阳能光伏组件的封装更加耗时耗力,增加了封装时的劳动强度,影响太阳能电池组件的封装效率。
发明内容
本申请实施例提供一种光伏组件及其制备方法,至少有利于提高光伏组件的良率和稳固性。
根据本申请一些实施例,本申请实施例一方面提供一种光伏组件,包括:电池串;堆叠的第一封装胶膜以及第二封装胶膜,所述第一封装胶膜和所述第二封装胶膜之间具有间隙,用于容纳所述电池串;其中,所述光伏组件具有中心区以及环绕所述中心区的外围区,所述电池串位于所述中心区,所述外围区的所述第一封装胶膜具有第一通孔,所述外围区的所述第二封装胶膜具有第二通孔,且所述第一通孔与所述第二通孔正对,所述第一通孔与所述第二通孔中的至少一者为贯穿孔;填充结构,所述填充结构填充所述第一通孔和所述第二通孔,且在层压过程中,形成所述填充结构的材料的交联固化速度比形成所述第一封装胶膜的材料的交联固化速度快,形成所述填充结构的材料的交联固化速度也比形成所述第二封装胶膜的材料的交联固化速度快。
在一些实施例中,沿所述第一封装胶膜指向所述第二封装胶膜的方向上,所述第一通孔的深度与所述第二通孔的深度之和为填充深度,所述填充结构的厚度与所述填充深度的比值为1:0.8~1:1.2。
在一些实施例中,所述填充结构的材料包括快速交联的POE,所述第一封装胶膜的材料包括常规POE,所述第二封装胶膜的材料包括常规POE。
在一些实施例中,所述第一封装胶膜远离所述间隙的一侧和所述第二封装胶膜远离所述间隙的一侧中的至少一者具有凸起结构,所述凸起结构在所述第一封装胶膜上的正投影位于所述电池串在所述第一封装胶膜上的正投影中,或者,所述凸起结构在所述第二封装胶膜上的正投影位于所述电池串在所述第二封装胶膜上的正投影中。
在一些实施例中,所述凸起结构在所述第一封装胶膜上的正投影为第一正投影,所述电池串在所述第一封装胶膜上的正投影为第二正投影,所述第一正投影的面积与所述第二正投影的面积的比值为0.5~1。
在一些实施例中,所述凸起结构在所述第二封装胶膜上的正投影为第三正投影,所述电池串在所述第二封装胶膜上的正投影为第四正投影,所述第三正投影的面积与所述第四正投影的面积的比值为0.5~1。
在一些实施例中,所述凸起结构包括多个相互间隔的第一凸块。
在一些实施例中,沿所述第一封装胶膜指向所述第二封装胶膜的方向上,所述凸起结构的厚度与位于所述外围区的所述第一封装胶膜的厚度比值为1/3~1/7。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科能源(海宁)有限公司;浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司,未经晶科能源(海宁)有限公司;浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210072955.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的