[发明专利]一种超低应力的8-12μm红外宽带增透薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202210072105.2 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114488361A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 陈佳佳;李全民;朱敏;吴玉堂 | 申请（专利权）人： | 南京波长光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/115 | 分类号： | G02B1/115;G02B1/00;C23C14/30;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/18 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 211121 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应力 12 红外 宽带 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种超低应力的8-12μm红外宽带增透薄膜，其特征在于：膜系结构为SUB/aHbLcHdLeH/air，其中，SUB代表蓝宝石基底、air代表空气、H代表ZnSe层、L代表Yb-A层，Yb-A层为YF3与掺钙1wt％-8wt％的YbF体积比为1:1-5:1的混合膜层；a-e代表每层的四分之一参考波长光学厚度的系数。
2.如权利要求1所述的超低应力的8-12μm红外宽带增透薄膜，其特征在于：a的取值为1.00～1.60，b的取值为1.70～2.30，c的取值为13.00～13.60，d的取值为12.70～13.30，e的取值为2.55～3.15。
3.如权利要求2所述的超低应力的8-12μm红外宽带增透薄膜，其特征在于：a的取值为1.30～1.34，b的取值为1.98～2.02，c的取值为13.28～13.32，d的取值为12.98～13.02，e的取值为2.83～2.87。
4.如权利要求1-3任意一项所述的超低应力的8-12μm红外宽带增透薄膜，其特征在于：aH为第一ZnSe层，bL为第一Yb-A层，cH为第二ZnSe层，dL为第二Yb-A层，eH为第三ZnSe层；第一ZnSe层的物理厚度为400±50nm，第一Yb-A层的物理厚度为140±20nm，第二ZnSe层的物理厚度为600±50nm，第二Yb-A层的物理厚度为1200±100nm，第三ZnSe层的物理厚度为200±30nm。
5.如权利要求1-3任意一项所述的超低应力的8-12μm红外宽带增透薄膜，其特征在于：膜系结构为air/eHdLcHbLaH/SUB/aHbLcHdLeH/air。
6.如权利要求1-3任意一项所述的超低应力的8-12μm红外宽带增透薄膜，其特征在于：8-12μm平均单面反射率不大于0.3％，平均双面透过率不小于99.3％，薄膜应力为0。
7.权利要求1-6任意一项所述的超低应力的8-12μm红外宽带增透薄膜的制备方法，其特征在于：镀膜过程中采用离子辅助沉积；镀膜前，将蓝宝石基底在90～100℃下烘烤0.5～1h；成膜时起始真空度为(0.8～1.2)*10-3Pa，离子源参数设置为：加速电压200V，屏极电压450±50V，束流40±20mA。
8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：ZnSe采用铜坩埚电子束蒸发，蒸发速率控制在0.8±0.1nm/s。
9.如权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于：Yb-A采用石墨坩埚电子束蒸发，蒸发速率控制在0.8±0.1nm/s。
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