[发明专利]在非易失性存储器装置中编程数据的设备、系统及方法

说明书

本申请涉及在非易失性存储器装置中编程数据的设备、系统及方法。一种存储器装置包括：存储器结构，其包括能够存储多位数据的至少一个非易失性存储器单元；以及控制装置，其被配置为：在向至少一个非易失性存储器单元施加第一编程脉冲之后执行编程验证，基于编程验证的结果确定至少一个非易失性存储器单元的编程模式，以及根据编程模式，将施加至与至少一个非易失性存储器单元联接的另一非易失性存储器单元的通过电压的电平从第一电平改变为比第一电平高的第二电平，或改变用于改变联接至至少一个非易失性存储器单元的位线的电位的建立时间。

技术领域

本文描述的本公开的实施方式涉及存储器装置，并且具体地，涉及用于在非易失性存储器装置中存储或编程数据的设备及方法。

背景技术

近来，计算环境的范式已经转变为无处不在的计算，这使得几乎能够随时随地访问计算机系统。结果，便携式电子装置(例如，移动电话、数码相机、笔记本计算机等)的使用正在迅速增加。这样的便携式电子装置各自可以使用或包括具有至少一个存储器装置的存储器系统。存储器系统可以是数据储存装置。数据储存装置可以用作便携式电子装置的主储存装置或辅储存装置。

与硬盘不同，这种数据储存装置使用非易失性半导体存储器，显现了更高的稳定性和耐用性，没有机械驱动部件(例如，机械臂)，并且因此提供了高数据访问速度和相对低的功耗。具有这些优点的数据储存装置的示例包括但不限于通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等。

发明内容

本公开的实施方式可以提供用于提高数据处理系统中包括的存储器装置的数据输入/输出速度的设备及方法。此外，根据本公开的实施方式，能够在将数据项编程到非易失性存储器装置中的过程中提高数据输入/输出速度。

在实施方式中，一种存储器装置可以包括：存储器结构，其包括能够存储多位数据的至少一个非易失性存储器单元；以及控制装置，其被配置为：在向至少一个非易失性存储器单元施加第一编程脉冲之后执行编程验证，基于编程验证的结果确定至少一个非易失性存储器单元的编程模式，以及根据编程模式，将施加至与至少一个非易失性存储器单元联接的另一非易失性存储器单元的通过电压的电平从第一电平改变为高于第一电平的第二电平，或改变用于改变联接至至少一个非易失性存储器单元的位线的电位的建立时间。在此，执行编程验证、确定编程模式和改变通过电压的电平是在向至少一个非易失性存储器单元施加多个编程脉冲以编程多位数据的数据编程操作期间执行的。

存储器结构可以包括：第一晶体管，其联接在至少一个存储器单元和位线之间并被配置为响应于向漏极选择线(DSL)施加的第一控制电压而操作；第二晶体管，其联接在至少一个存储器单元和源极线之间并且被配置为响应于向串选择线(SSL)施加的第二控制电压而操作；以及至少一个非易失性存储器单元，其联接在第一晶体管和第二晶体管之间并被配置为通过多个编程脉冲存储多位数据。

至少一个非易失性存储器单元可以包括在第一晶体管和第二晶体管之间彼此串联连接的N个晶体管。控制装置可以按照在N个晶体管当中从连接至第一晶体管的晶体管到连接至第二晶体管的另一晶体管的次序将多位数据编程到至少一个非易失性存储器单元。

控制装置还可以被配置为响应于存储器装置的温度而确定通过电压的电平。控制装置可以通过执行过压驱动将通过电压的电平从第一电平改变为第二电平。

控制装置还被配置为保持第二电平，直到联接至至少一个非易失性存储器单元的位线的电位根据基于编程验证的结果而确定的编程模式改变。

控制装置还可以被配置为向处于擦除状态的至少一个其它非易失性存储器单元施加具有第一电平的通过电压，并且向已编程的至少一个其它非易失性存储器单元施加具有第二电平的通过电压。

控制装置还可以被配置为在数据编程操作期间响应于向至少一个非易失性存储器单元施加的编程脉冲的数量而增加通过电压的电平。建立时间可以随着存储器装置的温度升高而变短。