[发明专利]一种基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7μm单频光纤激光器

权利要求书

1.一种基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7 μm单频光纤激光器，其特征在于，包括泵浦源、波分复用器、谐振腔以及隔离器；所述谐振腔包括依次连接的窄带光栅、增益光纤和宽带光栅；

所述泵浦源发出的泵浦光通过所述波分复用器的泵浦端耦合进入所述谐振腔，在腔内形成激光振荡，产生1.7 μm波段单频光纤激光，所述1.7 μm波段单频光纤激光经过所述波分复用器，再经所述隔离器后输出；

其中，所述增益光纤为GaSb单晶半导体复合光纤，所述GaSb单晶半导体复合光纤的包层为玻璃，纤芯为GaSb单晶半导体；

所述GaSb单晶半导体复合光纤的前驱体光纤采用纤芯熔融法或高压化学气相沉积法制备，再通过电加热和/或激光加热热处理将所述前驱体光纤的纤芯熔融再结晶，制备所述GaSb单晶半导体复合光纤；

所述电加热热处理的温度为720℃~760℃，前驱体光纤下降的速率为4~7 mm/h；

所述激光加热热处理的条件包括：激光波长为532 nm~808 nm，激光功率为1 W~2 W，移动速率为3~5 mm/h。

2.根据权利要求1所述的基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7 μm单频光纤激光器，其特征在于，所述包层为多组分锗酸盐玻璃。

3.根据权利要求1所述的基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7 μm单频光纤激光器，其特征在于，所述纤芯的直径为3 μm~10 μm，所述GaSb单晶半导体复合光纤的直径为123 μm~127 μm。

4.根据权利要求1所述的基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7 μm单频光纤激光器，其特征在于，所述泵浦源的波长为808 nm~1064 nm。

5.根据权利要求4所述的基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7 μm单频光纤激光器，其特征在于，所述泵浦源的波长为808 nm、980 nm或1064 nm。

6.根据权利要求1~5任一项所述的基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7 μm单频光纤激光器，其特征在于，所述1.7 μm单频光纤激光器输出的单频激光的波长在1650 nm~1750 nm范围内可调。

7.根据权利要求1~5任一项所述的基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7 μm单频光纤激光器，其特征在于，所述1.7 μm单频光纤激光器输出的单频激光的最大输出功率在1 mW~5W范围内可调。

8.根据权利要求1~5任一项所述的基于GaSb单晶半导体复合光纤的1.7 μm单频光纤激光器，其特征在于，所述1.7 μm单频光纤激光器输出的单频激光的线宽小于1 MHz。