[发明专利]电容器和包括该电容器的半导体器件

权利要求书

1.一种电容器，包括：

第一电极，包括具有钙钛矿晶体结构的第一增强材料和具有钙钛矿晶体结构的第一金属性材料；

在所述第一电极上的第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间的电介质层，

其中所述第一金属性材料具有大于所述第一增强材料的电负性的电负性。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第一金属性材料的所述电负性比所述第一增强材料的所述电负性大至少0.6。

3.根据权利要求1所述的电容器，其中所述第一增强材料具有介电性质。

4.根据权利要求1所述的电容器，其中

所述第一增强材料包括ABO₃的成分，所述第一金属性材料包括A'B'O₃的成分，

A和A'各自独立地包括K、Sr、Ba、Ca、Pb和La中的至少一种，

B包括Ti、Hf、Zr、Sn和Al中的至少一种，

B'包括Ru、Mo、Ir、V、Hf、Zr、Sn和Al中的至少一种，以及

O代表氧。

5.根据权利要求4所述的电容器，其中所述第一金属性材料包括BaRuO₃、BaMoO₃、BaIrO₃、BaVO₃、SrRuO₃、SrMoO₃、SrIrO₃和SrVO₃中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的电容器，其中所述第一增强材料是BaTiO₃和SrTiO₃中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的电容器，其中所述电介质层包括BaTiO₃、KNbO₃、KTaO₃、PbTiO₃、PbZrO、SrTiO₃、CaTiO₃、SrHfO₃和SrZrO₃中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的电容器，其中

所述第一电极具有包括交替堆叠的第一单元层和第二单元层的超晶格结构，

其中所述第一单元层包括所述第一增强材料，以及

所述第二单元层包括所述第一金属性材料。

9.根据权利要求8所述的电容器，其中所述第一电极的最下层和最上层中的至少一个是所述第一单元层中的一个。

10.根据权利要求1所述的电容器，其中

所述第一电极包括所述第一增强材料和所述第一金属性材料的合金，以及

所述合金具有钙钛矿晶体结构。

11.根据权利要求10所述的电容器，其中

所述合金由A_xA'_(1-x)BO₃、AB_yB'_(1-y)O₃和A_xA'_(1-x)B_yB'_(1-y)O₃中的至少一个表示，

其中x和y各自为0.5或更小。

12.根据权利要求1所述的电容器，其中所述电介质层包括具有钙钛矿晶体结构的第一电介质材料。

13.根据权利要求12所述的电容器，其中

所述电介质层还包括具有钙钛矿晶体结构的第二电介质材料，

其中所述第一电介质材料和所述第二电介质材料具有不同的介电特性。