[发明专利]一种有效去除高硅浓盐废水中硅的方法在审
申请号: | 202210063959.4 | 申请日: | 2022-01-20 |
公开(公告)号: | CN114409133A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 宋晓玲;王道广;张永龙;孙景晶;张立;王均凤;唐红建;李刚;魏东;胡江;汤胜勇;巨文章;马银山;曹志晔;唐复兴 | 申请(专利权)人: | 新疆天业汇合新材料有限公司;中国科学院过程工程研究所;新疆天业(集团)有限公司 |
主分类号: | C02F9/04 | 分类号: | C02F9/04;C02F101/10 |
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地址: | 832000 新疆维吾*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有效 去除 高硅浓盐废 水中 方法 | ||
本发明属于废水处理技术领域,具体地说是一种有效去除高硅浓盐废水中硅的方法,采用混凝剂通过两次串联操作实现高硅浓盐水中硅的去除。该方法首先将高硅浓盐废水通入调节池控制出水pH为8~12,之后进入主混凝池,通过一次混凝剂去除其中大部分的硅;再经一次澄清池澄清后进入二次混凝池进行深度除硅,之后进入二次澄清池澄清后得到除硅浓盐水,一次澄清池和二次澄清池得到的沉淀物经过滤后得到的滤渣和滤液,滤液返回主混凝池。所述方法对高硅浓盐废水中硅的去除效率高、能满足下游进水水质对硅的要求,是一种快捷高效的除硅方法。另外,所述方法能同时去除废水中的硬度,不引入其他杂质,效率高,而且流程简单,适合工业化应用。
技术领域
本发明提供一种有效去除高硅浓盐废水中硅的方法,涉及废水处理技术领域。
背景技术
水资源再生利用过程中,硅酸沉淀在设备管道内壁或膜表面会形成硅垢,影响设备的正常运行。工业用冷却水在循环使用过程中,由于水分不断蒸发,水中的硅酸被浓缩成过饱和溶液,进而以沉淀的形式附着在循环设备管道内壁形成硅垢,腐蚀设备,堵塞输送管道。工业中水回用过程中,经多级反渗透浓缩处理,极易产生硅垢造成停车。硅酸水垢的主要成分是无机硅酸盐和不定形的二氧化硅,其致密坚硬,不溶于普通酸碱,是目前较难处理的水垢,已成为世界性难题。高盐废水主要来源,回用水盐浓度高,硅含量高,碱度高,硫酸根与硝酸根含量高,硬度低。目前,世界范围内水处理领域的除硅技术已逐渐成熟,其中应用广泛的技术为:混凝除硅技术、反渗透技术、电凝聚除硅技术、化学阻垢剂抑制技术、离子交换技术。混凝方法工艺流程简单,应用最为广泛。常用的除硅药剂为镁剂、铝盐。但其在去除硅的同时会引入杂质离子,造成水质再次污染,影响中水回用。
发明内容
为了解决上述现有技术存在问题,本发明提供一种有效去除高硅浓盐废水中硅的方法。通过本发明提供的方法,对工业高硅浓盐水中的硅去除效率高、能满足下游进水水质要求,是一种快捷高效的除硅方法。另外,所述方法的处理成本低、不引入其他杂质,避免后续处理过程中由于硅含量超标导致膜结垢的问题;而且流程简单,尤其适合于处理硬度低的高硅浓盐水。
一种有效去除高硅浓盐废水中硅的方法其特征在于,具体步骤如下:
1)将高硅浓盐废水通入调节池中,向调节池中加入氢氧化钠以调整高硅浓盐废水pH至8~12(例如调整高硅浓盐废水pH至8、8.5、9、9.5、10、10.5、11、11.5或12等),得到预处理废水I;
2)将步骤1)得到的预处理废水I送入主混凝池,之后加入一次混凝剂,通过反应吸附进行脱硅,得到浆料I;
3)将步骤2)所得浆料I送入一次澄清池去除其中的沉淀物,分别得到澄清的粗脱硅废水和浆料II;将粗脱硅废水通入二次混凝池中,之后加入二次混凝剂,进行深度脱硅,得到浆料III;
4)将步骤3)所得浆料III送入二次澄清池去除其中的沉淀物,分别得到澄清的除硅浓盐水和浆料IV。
上述的一次混凝剂为氯化铁和聚合氯化铝的复配混合物,其中,氯化铁:聚合氯化铝(质量比)为8:1~1:1,例如8:1、7.5:1、7:1、6.5:1、6:1、5.5:1、5:1、4.5:1、4:1、3.5:1、3:1、2.5:1、2:1、1.5:1或1:1,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
上述的一次混凝剂的投加量按照所含氯化铁与高硅浓盐废水中硅含量(以二氧化硅计)的质量比为7:1~1:1进行确定,例如,一次混凝剂的投加量按与含氯化铁与高硅浓盐废水中硅含量(以二氧化硅计)的质量比为7:1、6.5:1、6:1、5.5:1、5:1、4.5:1、4:1、3.5:1、3:1、2.5:1、2:1、1.5:1或1:1,以及上述点值之间的具体点值,限于篇幅及出于简明的考虑,本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
上述的步骤3)中所得浆料II和步骤4)中所得浆料IV一并送入过滤机进行过滤,得到滤液和滤渣;其中,所得滤液返回主混凝池进行循环再处理,所得滤渣即为脱硅产物。
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