[发明专利]一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器

权利要求书

1.一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，接收差分输入信号，并放大处理得到输出信号；其特征在于，包括放大器单元、阻塞电容单元、缓冲器单元；

所述放大器单元的输入端接收差分输入信号，输出端连接阻塞电容单元后通过阻塞电容单元与所述缓冲器单元的输入端连接，所述缓冲器单元的输入端即为所述基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器输出输出信号的输出端；

所述放大器单元包括电流镜偏置模块、调谐控制模块、求值开关模块、差分输入对模块、输出负载模块；

所述差分输入对模块的输入端连接差分输入信号，用于过滤差分输入信号的共模信号；所述差分输入对模块的输出端连接输出负载模块并通过输出负载模块与所述电流镜偏置模块的输入端连接；所述输出负载模块用于增大输出摆幅；所述电流镜偏置模块的输出端连接所述阻塞电容单元后与所述缓冲器单元连接，用于提供需要的工作电压；

所述求值开关模块搭接在所述差分输入对模块上，用于控制差分输入对的工作；

所述调谐控制模块的分别与输出负载模块、电流镜偏置模块和阻塞电容单元连接；

所述输出负载模块包括MOS管Q5和MOS管Q6；

所述调谐控制模块包括直流电压源V3、调谐控制管Q10、电路负载RL3、电容C1；

所述调谐控制管Q10的漏极与MOS管Q5的漏极连接，调谐控制管Q10的源极接地，调谐控制管Q10的栅极与所述电容C1连接并通过电容C1搭接在所述电流镜偏置模块和阻塞电容单元之间；所述调谐控制管Q10的衬底连接电路负载RL3后与所述直流电压源V3的正极连接；所述直流电压源V3的负极接地。

2.如权利要求1所述的一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述差分输入对模块包括MOS管Q7和MOS管Q8；

所述MOS管Q7的栅极和MOS管Q8的栅极分别对应连接差分输入信号Vin+和差分输入信号Vin-；

所述MOS管Q7的源极和MOS管Q8的源极分别与所述求值开关模块连接；

所述MOS管Q7的漏极和MOS管Q8的漏极分别与所述输出负载模块连接；

所述MOS管Q7的衬底和MOS管Q8的衬底接地。

3.如权利要求2所述的一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述MOS管Q5的源极与所述MOS管Q7的漏极连接，所述MOS管Q5的衬底接地，MOS管Q5的漏极与所述电流镜偏置模块连接；所述MOS管Q5的栅极与所述MOS管Q6的栅极连接；

所述MOS管Q6的源极与所述MOS管Q8的漏极连接，所述MOS管Q6的衬底接地，MOS管Q6的漏极与所述电流镜偏置模块连接。

4.如权利要求1所述的一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述电流镜偏置模块包括直流电压源V1、电路负载RL1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4；

所述MOS管Q1的源极连接所述MOS管Q3的漏极连接，所述MOS管Q3的源极与所述MOS管Q5的漏极连接，MOS管Q3的栅极与MOS管Q4的栅极连接；

所述MOS管Q2的源极连接所述MOS管Q4的漏极连接，所述MOS管Q4的源极与所述MOS管Q6的漏极连接后作为电流镜偏置模块的输出端与所述阻塞电容单元连接；

所述MOS管Q1的漏极、MOS管Q1的衬底、MOS管Q3的衬底、MOS管Q2的漏极、MOS管Q2的衬底、MOS管Q4的衬底都与所述电路负载RL1连接，并通过电路负载RL1与所述直流电压源V1的正极连接，所述直流电压源V1的负极接地；

所述MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极、MOS管Q5的漏极连接在一起后与调谐控制管Q10的漏极连接，在所述阻塞电容单元和MOS管Q4的源极与所述MOS管Q6的漏极之间搭接支路与所述调谐控制管Q10的栅极和所述电容C1连接。