[发明专利]一种钴钒基自支撑电极及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202210060180.7 申请日: 2022-01-19
公开(公告)号: CN114318400B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 付宏刚;梁志坚;王蕾;沈迪 申请(专利权)人: 黑龙江大学
主分类号: C25B11/054 分类号: C25B11/054;C25B11/091;C25B1/04;C25B11/061
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 王芳
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 钴钒基 支撑 电极 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种钴钒基自支撑电极的制备方法,其特征在于,该方法为通过水热法在导电基体上合成含有钴和钒、具有珊瑚状纳米阵列的前驱体,然后通过氮化处理得到钴钒基自支撑电极,简称CoN/VN@NF;

该方法包括以下步骤:

(1)泡沫镍的预处理:去除泡沫镍的有机涂层和氧化层,超声水洗至中性后烘干备用;

(2)合成珊瑚状纳米阵列前驱体:采用氯化钴和偏钒酸铵分别作为钴源和钒源,通过水热法获得珊瑚状纳米阵列前驱体;

所述的步骤(2)的具体操作过程为:将氯化钴和偏钒酸铵溶于50 ~ 100 ml去离子水中,并用酸溶液调节pH至3 ~ 6,获得反应溶液,然后将反应溶液转移至聚四氟乙烯反应釜中,并将经过步骤(1)处理的泡沫镍放入反应溶液中,在140 ~ 200℃下反应6 ~ 10 h,反应结束后降至室温,使用去离子水和无水乙醇依次分别冲洗3 ~ 5次,最后在40 ~ 60℃烘干,得到珊瑚状纳米阵列前驱体;

所述的氯化钴和偏钒酸铵的质量比为1:(2 ~ 4);

(3)氮化处理:将步骤(2)得到的珊瑚状纳米阵列前驱体置于管式炉中,通入氨气,并以2 ~ 5℃/min的速率升温至500 ~ 700℃,保温处理1 ~ 3 h,然后以1 ~ 5℃/min的速率降温至室温,得到CoN/VN@NF。

2.根据权利要求1所述的一种钴钒基自支撑电极的制备方法,其特征在于,所述的珊瑚状纳米阵列由纳米片堆叠而成,纳米片厚度为20 ~ 30 nm。

3.根据权利要求1所述的一种钴钒基自支撑电极的制备方法,其特征在于,所述的导电基体为泡沫镍。

4.根据权利要求1所述的一种钴钒基自支撑电极的制备方法,其特征在于,所述的步骤(1)的具体操作过程为:将泡沫镍在丙酮溶剂中超声处理10 ~ 30 min,除去表面的有机涂层;然后在2 mol/L的盐酸溶液中超声3 ~ 5 min,除去氧化层;最后在去离子水中超声洗涤直至pH为中性,并在40 ~ 60℃烘干备用。

5.根据权利要求1所述的一种钴钒基自支撑电极的制备方法,其特征在于,所述的酸溶液为摩尔浓度为1 ~ 3 mol/L的硝酸溶液、硫酸溶液或盐酸溶液。

6.根据权利要求1所述的一种钴钒基自支撑电极的制备方法,其特征在于,所述的步骤(3)中氮气流速为20 ~ 50 mL/min。

7.一种权利要求1所述的方法制备得到的钴钒基自支撑电极,其特征在于,该电极用于分解水。

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