[发明专利]一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法，该方法是采用高频感应同步加热与磁控溅射技术沉积可控晶体结构的AlMgB14涂层；其特征在于：利用所述高频感应线圈快速加热沉积涂层，在磁控溅射工艺下完成可控非晶和晶体组分的涂层沉积，包括如下制备步骤：

(1)将预处理后的基体6可拆卸固定安装在真空室内，将本底真空抽至≤1×10-3Pa；AlMgB14靶5施加磁控电源16；基体6转动速度为1～20转/min；

(2)对基体6进行辉光等离子体清洗，去除表面杂质；然后Al、Mg、B离子轰击基体；

(3)设置AlMgB14靶5的功率0.2～5.0kW，根据晶体结构组分的比例要求，控制高频感应线圈的数量和功率，沉积不同晶体结构组分AlMgB14涂层，形成3层不同厚度的非晶、非晶/晶体、晶体的组分的AlMgB14涂层。

2.根据权利要求1所述的一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述基体6的预处理过程为：利用不同粒度砂纸将基体6表面磨平和抛光处理，然后在丙酮中超声清洗20～50min，然后在乙醇溶液中超声清洗20～60min，最后N2吹干处理。

3.根据权利要求1所述的一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述辉光等离子体清洗过程为：偏压为-600～-800V，通入Ar气流量为30～150sccm，工作气压0.5～2.0Pa，对基体6表面进行等离子体清洗5～30min，以去除表面杂质；所述Al、Mg、B离子轰击的过程为：开启AlMgB14靶5，设置AlMgB14靶5功率0.2～5.0kW，Ar流量30～100sccm，气压为0.1～1.0Pa，偏压为-600～-800V，时间为5～10min。

4.根据权利要求1所述的一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述非晶AlMgB14涂层沉积的过程为：关闭高频感应功率，设置偏压为-40～-300V，通入Ar，保持总流量为30～300sccm，工作气压保持在0.1～1.0Pa，沉积一定时间后获得所述非晶AlMgB14涂层。

5.根据权利要求1所述的一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述非晶和晶体组分的AlMgB14涂层沉积的过程为：根据晶体的质量分数要求，设置高频感应线圈的数量1个～4个和功率200W～900W，设置偏压为-40～-300V，通入Ar，保持总流量为30～300sccm，工作气压保持在0.1～1.0Pa，沉积一定时间后获得不同质量分数的非晶/晶体的AlMgB14涂层。

6.根据权利要求1所述的一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述晶体组分的AlMgB14涂层沉积的过程为：启动高频感应线圈1个～4个，根据工艺温度要求设置高频感应功率200W～900W，设置偏压为-40～-300V，通入Ar，保持总流量为30～300sccm，工作气压保持在0.1～1.0Pa，沉积一定时间后获得所述晶体结构AlMgB14涂层。

7.根据权利要求1所述的一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述非晶/晶体的AlMgB14涂层沉积工艺中，高频感应线圈分别启动1个、2个、3个、4个时晶体的质量分数分别为20～30％、45～55％、70～80％和90～100％。

8.根据权利要求1所述的一种可控晶体结构AlMgB14涂层及其制备方法，其特征在于：所述4个高频感应线圈均匀分布在以转轴20为中心的周围，基体6与高频感应线圈之间距离为2～50mm。