[发明专利]一种氧气补充法兰及液冷式半导体尾气清除燃烧筒

说明书

本发明公开了一种氧气补充法兰及液冷式半导体尾气清除燃烧筒，旨在解决现在的燃烧室消耗的CDA量过大的不足。该发明包括第一腔和第二腔，第二腔从内到外依次包括第一内腔、第一保温层以及第一水冷层，第一腔由内到外依次包括第二内腔、第二保温层和第二水冷层，第一腔和第二腔可拆卸连接并形成上部开放的容器，第一水冷层和第二水冷层经管路连接，第二水冷层上设有进液口，第一水冷层上设有出液口，第一腔设有氧气补充法兰。装置减少了输入的气体，通过纯氧和尾气的反应，减少了燃爆现象，装置以更静态的姿态运行，避免干扰前序装置。

技术领域

本发明及半导体生产领域，更具体地说，它涉及一种氧气补充法兰及液冷式半导体尾气清除燃烧筒。

背景技术

在集成电路的生产制造过程中，其中的一些工艺流程模块如：化学气相沉积、刻蚀、离子注入和扩散，以及非晶硅薄膜太阳能、液晶及薄膜的PECVD工艺等都会用到大量的特殊工艺气体。这些工艺气体一般都是以氢气作为载气，参与工艺反应之后，以废气的形式被排放,其种类可分为：有毒、酸性、碱性、自燃、易燃、腐蚀性以及PFCS与VOC类气体等。

这些原来作为工艺原料或者反应副产物的有毒有害气体，其中一些有腐蚀各类管线的危险，有的在与其它危害物相遇或累积较高浓度时会有火灾爆炸的危险，还有的会造成作业人员中毒、破坏大气环境等危害。为避免这些危害的发生，这些气体都必须经过无害化处理，使之符合国家大气排放标准后，方可排入大气中。目前的半导体、光伏行业等工厂大都会在工艺设备后端安装尾气处理装置用于处理这些危害性的特殊气体。

现在的燃烧室采用注入CDA（cleandryair）即干燥空气的方式作为助燃剂和冷却方式，从燃烧室的保温层外注入CDA，并通过气压的作用，逐层的渗入，并最终进入到燃烧室内参与燃烧。为此，保温层和第一内腔需要设置成多孔材料，所述结构集冷却和注入助燃剂为一体，有约化空间的效果，但是所述方式也具有负面影响：多孔的保温层导致保温层可以承受的温度较低，无法到达最高效的燃烧温度；需要维持一个较大的气压差避免尾气外泄，使得CDA的消耗量巨量，风冷的冷却形式也并不够高效，外壁的温度容易造成人身伤害。

因此，本申请旨在实现一种改变助燃气构成并修改冷却形式的新型液冷式半导体尾气清除燃烧筒。

发明内容

本发明克服了现在的燃烧室消耗的CDA量过大的不足，提供了一种氧气补充法兰及液冷式半导体尾气清除燃烧筒，它能实现高效燃烧、外壳高效冷却，减少CDA的消耗。

所述申请达到的另一技术效果是，减少了燃烧室内的气压，使得尾气更易导入。

申请达到的第三技术效果是，通过纯氧和尾气的燃烧，减少了燃爆现象，为燃烧室前序生产步骤减少了振动，提高了半导体产品的品质。

为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种氧气补充法兰，包括沿径向布置的通气流道和设置在靠近法兰内壁位置的缓存流道，通气流道向缓存流道注入纯氧，缓存流道的内壁等间距设有若干输出注气口。通气流道分布在氧气补充法兰径向方向的两端。所述结构用于传递纯氧，集束性的传递纯氧至缓存流道中，再通过缓存流道将氧气均匀的向法兰内部的空间传递。

作为优选，缓存流道呈环形，氧气补充法兰设有至少两个通气流道，缓存流道上设有若干与通气流道对应的导向板，导向板倾斜设置以引导纯氧沿缓存流道同一方向流动。所述结构使得纯氧沿单一方向在缓存流道上周向转动，提高各处输出注气口输出的气体流量，提高燃烧的稳定性，减少振动。

作为优选，纯氧通过输出注气口形成环形的气流环，输出注气口的方向与所述气流环相切。燃烧室上接燃烧头，燃烧头沿圆形阵列设置有尾气进口，所述气流环与阵列的尾气进口所处的环形适应，所述结构使得燃烧效率更高。环形的气流环沿气流在缓存流道中的运动方向流动，并形成稳定的旋转气流。气流环的流向与氧气在缓存流道中流动方向同向，所述结构可以增大气流环的流速，形成更稳定的气旋、更稳定的燃烧现象。