[发明专利]一种弯曲不敏感单模光纤的低成本加工工艺

权利要求书

1.一种弯曲不敏感单模光纤的低成本加工工艺，其先制备光纤预制棒、再对所述光纤预制棒进行拉丝处理即得到弯曲不敏感光纤；所述弯曲不敏感单模光纤包括中心的芯层、围绕并与所述芯层接触的包层，所述包层自内而外包括内包层和外包层；其特征在于：

所述内包层至少包括两层且至少两层内包层自内而外形成至少一个类阶梯式的凹陷结构；

所述光纤预制棒的制备包括：步骤(1)，应用VAD工艺通过沉积设备沉积得到由所述芯层和内包层形成的芯棒松散体；步骤(2)，将所述芯棒松散体依次经过烧结脱水处理、拉伸处理后得到透明玻璃芯棒；步骤(3)，应用OVD工艺在所述芯棒外表面沉积形成所述外包层，最后经过烧结得到所述光纤预制棒；

所述步骤(1)中，所述沉积设备包括腔体、以及设置于所述腔体内的芯层喷灯、内包层喷灯，所述内包层喷灯至少设有两个且每一个所述内包层喷灯分别与一内包层一一对应，所述芯层喷灯、内包层喷灯均为环状多层喷孔结构；初始靶棒从顶部伸入到所述腔体内并由控制系统控制其以设定的速度旋转并向上提升，所述控制系统控制所述芯层喷灯先以预设的沉积气体流量在所述初始靶棒的末端沉积形成所述芯层，所述控制系统根据光纤内包层折射率剖面结构自内而外依次控制每一所述内包层喷灯以预设的每一内包层气体流量在所述芯层的末端沉积形成每一层所述内包层。

2.根据权利要求1所述的一种弯曲不敏感单模光纤的低成本加工工艺，其特征在于：所述沉积设备还包括进风系统和抽风系统，所述腔体的一侧设置有所述进风系统、相对的另一侧设置有所述抽风系统。

3.根据权利要求1所述的一种弯曲不敏感单模光纤的低成本加工工艺，其特征在于：所述内包层包括自内而外的第一内包层和第二内包层，所述第一内包层与第二内包层之间形成一所述类阶梯式的凹陷结构；所述芯层的相对折射率差△n1为0.35％～0.45％，所述第一内包层的相对折射率差△n2为0.02％～0.04％，所述第二内包层的相对折射率差△n3为0.1％～0.18％。

4.根据权利要求3所述的一种弯曲不敏感单模光纤的低成本加工工艺，其特征在于：所述内包层喷灯包括用于沉积所述第一内包层的第一内包层喷灯和用于沉积所述第二内包层的第二内包层喷灯；所述芯层喷灯、第一内包层喷灯、第二内包层喷灯均为环状八层喷孔结构，其自内而外依次包括中心喷孔、第一环形喷孔、第二环形喷孔、第三环形喷孔、第四环形喷孔、第五环形喷孔、第六环形喷孔和第七环形喷孔。

5.根据权利要求4所述的一种弯曲不敏感单模光纤的低成本加工工艺，其特征在于：所述芯层喷灯的中心喷孔通有预设流量为0.4～0.8slpm的SiCl₄气体与预设流量为0.02～0.06slpm的GeCl₄气体；所述芯层喷灯的第一环形喷孔通有预设流量为3～6slpm的氢气，所述芯层喷灯的第二环形喷孔通有预设流量为2～4slpm的氩气，所述芯层喷灯的第三环形喷孔通有预设流量为18～26slpm的氧气，所述芯层喷灯的第四环形喷孔通有预设流量为3～1.6slpm的氩气，所述芯层喷灯的第五环形喷孔通有预设流量为18～24slpm的氢气，所述芯层喷灯的第六环形喷孔通有预设流量为3.2～4.8slpm的氩气，所述芯层喷灯的第七环形喷孔通有预设流量为18～22slpm的氧气。

6.根据权利要求4所述的一种弯曲不敏感单模光纤的低成本加工工艺，其特征在于：所述第一内包层喷灯自内而外各喷孔所通气体及气流流量设置为：中心喷孔通有预设流量为3～4.2slpm的SiCl4气体，第一环形喷孔通有预设流量为6～8slpm的氢气和预设流量为0.4～0.6slpm的四氟化碳气体，第二环形喷孔通有预设流量为3～5slpm的氩气，第三环形喷孔通有预设流量为25～45slpm的氧气，第四环形喷孔通有预设流量为4～6slpm的氩气，第五环形喷孔通有预设流量为60～80slpm的氢气，第六环形喷孔通有预设流量为4～6slpm的氩气，第七环形喷孔通有预设流量为25～45slpm的氧气；所述第一内包层松散体密度控制范围为0.35～0.38g/cm³。