[发明专利]氮含量高的氮化硅膜

权利要求书

1.一种沉积SiN膜的方法，包括：

将基板暴露于硅氮前驱物及NH₃等离子体，以沉积可流动SiN聚合物；及

将所述可流动SiN聚合物固化，以形成固化SiN膜；

其中所述硅氮前驱物包括下述一或多种：

其中R₁-R₅独立地为H或C1-C4烷基；或

其中R₁-R₂独立地为H或C1-C4烷基。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述硅氮前驱物中的至少一个R基团是甲基基团。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述硅氮前驱物包括下述一或多种：

4.如权利要求1所述的方法，其中所述硅氮前驱物基本上由组成，其中R₁-R₅独立地为H或C1-C4烷基。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述硅氮前驱物包括下述一或多种：

6.如权利要求1所述的方法，其中所述硅氮前驱物基本上由组成，其中R₁-R₂独立地为H或C1-C4烷基。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述硅氮前驱物包括下述一或多种：

8.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体是使用远程等离子体源而生成。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述可流动SiN聚合物是通过暴露于所述等离子体中的数个自由基而固化。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括后沉积处理，所述后沉积处理包括UV辐射暴露或退火。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述固化SiN膜具有大于或等于约0.7的氮原子对硅原子的比例。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述固化SiN膜具有大于或等于约1.0的氮原子对硅原子的比例。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述固化SiN膜具有范围为约1.0至约1.5的氮原子对硅原子的比例。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述基板维持在小于或等于约65℃的温度。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述基板维持在范围为约-100℃至约65℃的温度。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述固化SiN膜实质上不含碳原子。

17.一种沉积SiN膜的方法，包括：

将维持在低于或等于25℃的基板暴露于硅氮前驱物及NH₃等离子体，以沉积可流动SiN聚合物；及

将所述可流动SiN聚合物固化，以形成固化SiN膜；

其中所述固化SiN膜中氮对硅原子的比例大于约1.0，且所述硅氮前驱物包括下述一或多种：

其中R₁-R₅独立地为H或CH₃，条件为R₁至R₅的至少一个为甲基；或

其中R₁-R₂独立地为H或CH₃，条件为R₁至R₂的至少一个为甲基。

18.一种固化SiN膜，通过下述方式形成：在低于或等于约65℃的温度而没有UV辐射固化的情况下，将基板暴露于硅氮前驱物与NH₃等离子体，其中所述固化SiN膜中氮对硅原子的比例为约1.0至约1.5的范围，且所述硅氮前驱物包括下述一或多种：

其中R₁-R₅独立地为H或C1-C4烷基；

其中R₁-R₅独立地为H或C1-C4烷基；或

其中R₁-R₂独立地为H或C1-C4烷基。