[发明专利]高刻蚀精度陶瓷覆金属板、制备方法及芯片封装模块

权利要求书

1.高刻蚀精度陶瓷覆金属板，其特征在于：包括陶瓷层、金属层和活性金属粘接层，其特征在于：活性金属粘接层位于金属层被刻蚀后剩余的金属线路层下表面。

2.根据权利要求1所述的高刻蚀精度陶瓷覆金属板，其特征在于：活性金属粘接层的线宽度小于金属线路层线宽。

3.根据权利要求2所述的高刻蚀精度陶瓷覆金属板，其特征在于：0.85≤活性金属粘接层的线宽度/金属线路层的线宽≤0.98。

4.根据权利要求3所述的高刻蚀精度陶瓷覆金属板，其特征在于：陶瓷层靠近金属层一面有凹槽，活性金属粘接层置于凹槽内；1.02≤活性金属粘接层厚度/凹槽深度≤1.15。

5.根据权利要求1～4任一权利要求所述的高刻蚀精度陶瓷覆金属板，其特征在于：金属层为铜层或者铝层，陶瓷层为氧化铝层、氮化铝层、氮化硅层中的一种；活性金属粘接层为Ti-Ag、Ti-Ag-Cu、Ti-Ag-Cu-Zn、Au-Ag-Ge中的一种。

6.根据权利要求5所述的高刻蚀精度陶瓷覆金属板，其特征在于：15μm≤凹槽深度≤48μm。

7.高刻蚀精度陶瓷覆金属板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在陶瓷层上印刷与金属层被刻蚀形成的线路图形相一致图形的活性金属粘接层；

S2，将步骤S1得到含有活性金属粘接层的陶瓷层与金属层焊接。

8.根据权利要求7所述的高刻蚀精度陶瓷覆金属板的制备方法，其特征在于：在步骤S1之前，还包括步骤S0；其中步骤S0为在陶瓷层靠近金属层一面雕刻凹槽，活性金属粘接层置于凹槽内；其中1.02≤活性金属粘接层厚度/凹槽深度≤1.15，15μm≤凹槽深度≤48μm。

9.根据权利要求8所述的高刻蚀精度陶瓷覆金属板的制备方法，其特征在于：金属层为铜层或者铝层，陶瓷层为氧化铝层、氮化铝层、氮化硅层中的一种；活性金属粘接层为Ti-Ag、Ti-Ag-Cu、Ti-Ag-Cu-Zn、Au-Ag-Ge中的一种。

10.芯片封装模块，其特征在于，电路层为权利要求1～6所述的任一项所述的高刻蚀精度陶瓷覆金属板制备得到。