[发明专利]OLED显示面板在审
| 申请号: | 202210048785.4 | 申请日: | 2022-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN114447069A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
| 发明(设计)人: | 涂爱国 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王胜男 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 面板 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括基底、位于所述基底之上的像素定义层和位于所述像素定义层的像素开口内的发光器件、位于所述发光器件之上的光增益层、位于所述光增益层之上的封装层、以及位于所述封装层之上的彩色滤光层;
所述发光器件至少包括阳极层、位于所述阳极层之上的发光功能层、以及位于所述发光功能层之上的阴极层;其中,所述阳极层的边缘对位设置有黑色光阻层,且所述黑色光阻层避开像素开口设置。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述黑色光阻层位于所述阳极层与所述像素定义层之间,且所述像素定义层覆盖所述黑色光阻层。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述黑色光阻层位于所述像素定义层之上,在所述OLED显示面板的膜层厚度方向上,所述黑色光阻层的投影位于所述像素定义层内。
4.根据权利要求2或3所述的OLED显示面板,其特征在于,所述黑色光阻层呈闭合的环状结构。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述黑色光阻层包括基膜和均匀掺杂于基膜中的纳米炭黑、石墨烯和碳纳米管中的至少一种材料;所述基膜为环氧树脂胶层或硅胶层。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述光增益层为1.8至2.1折射率的有机材料层。
7.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述阳极层与所述发光功能层之间还设置有空穴注入层和空穴传输层,所述发光功能层与所述阴极层之间设置有电子注入层和电子传输层;其中,所述空穴注入层和所述空穴传输层的材料为酞菁铜(CuPc)或联萘二苯基磷(C44H32N2),所述电子注入层和所述电子传输层的材料为氟化锂(LiF);所述阴极层的材料为银(Ag)、金(Au)、铝(Al)和镁(Mg)的一种或一种以上组合材料,所述阳极层的材料为透明ITO。
8.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述彩色滤光层远离所述封装层的一侧还设置有保护盖板,所述保护盖板包括玻璃盖板和位于玻璃盖板上的填充层和边框胶层,其中,所述边框胶层围绕所述填充层的边缘设置,且所述边框胶层内填充有干燥材料,所述干燥材料为透明的二氧化硅、二氧化锆、二氧化钛、氧化钙和氮化钙中一种或一种以上材料。
9.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述彩色滤光层包括与所述发光器件对位设置的色阻层、以及位于所述色阻层之间的遮光矩阵。
10.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述基底包括阵列设置的TFT器件,所述阳极层通过过孔与所述TFT器件的漏极电性连接,所述TFT器件的源极与外接电源的正极电性连接,所述阴极层与外接电源的负极电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





