[发明专利]一种半导体器件热分布的测试装置

权利要求书

1.一种半导体器件热分布的测试装置，其特征在于，包括：外部测试回路（1）、压接组件（2）和红外热像仪（3）；

所述外部测试回路（1）与压接组件（2）电性连接；

所述红外热像仪（3）通过支架设置在压接组件（2）上方；

所述外部测试回路（1），用于进行阻断耐压测试、浪涌测试和关断瞬态测试；

所述压接组件（2），用于为半导体器件提供压力，使半导体器件与外部测试回路（1）电性连接；

所述红外热像仪（3），用于观测半导体器件内部的红外信息。

2.根据权利要求1所述的半导体器件热分布的测试装置，其特征在于，所述外部测试回路（1）包括阻断耐压测试单元、浪涌测试单元和关断瞬态测试单元；

所述阻断耐压测试单元，用于进行阻断耐压测试；

所述浪涌测试单元，用于进行浪涌测试；

所述关断瞬态测试单元，用于进行关断瞬态测试。

3.根据权利要求2所述的半导体器件热分布的测试装置，其特征在于，所述关断瞬态测试单元包括母线电容V_DC、钳位电阻R_s、钳位电感L_i、钳位二极管D₁、钳位电容C_CL、杂散电感L、续流二极管D₂和负载电感L_load；

所述母线电容V_DC一端同时与钳位电阻R_s一端和钳位电感L_i一端电性连接；

所述钳位电感L_i另一端同时与钳位二极管D₁一端和杂散电感L一端电性连接；

所述钳位二极管D₁另一端同时与钳位电阻R_s另一端和钳位电容C_CL一端电性连接；

所述钳位电容C_CL另一端同时与母线电容V_DC另一端和续流二极管D₂一端电性连接；

所述续流二极管D₂两端与负载电感L_load两端连接；

母线电容V_DC，用于提供测试电压；

负载电感L_load，用于导通时电流流通；

续流二极管D₂，用于被测半导体器件关断时和负载电感L_load构成续流回路。

4.根据权利要求1所述的半导体器件热分布的测试装置，其特征在于，所述压接组件（2）包括均压块（22）和锥形均压单元（23）；

所述均压块（22）设置于锥形均压单元（23）上方，且与锥形均压单元（23）抵接；

所述均压块（22），用于为半导体器件提供均匀的压力；

所述锥形均压单元（23），用于为半导体器件提供均匀的压力。

5.根据权利要求4所述的半导体器件热分布的测试装置，其特征在于，所述压接组件（2）还包括第一压板（21）；

所述第一压板（21）设置于均压块（22）正上方，且与均压块（22）平行；

所述第一压板（21），用于为半导体器件提供压力。

6.根据权利要求5所述的半导体器件热分布的测试装置，其特征在于，所述压接组件（2）还包括第二压板（24）；

所述第二压板（24）设置于锥形均压单元（23）下方，且与锥形均压单元（23）抵接；

所述第二压板（24），用于为半导体器件提供压力。

7.根据权利要求6所述的半导体器件热分布的测试装置，其特征在于，所述第一压板（21）与第二压板（24）通过螺栓连接。

8.根据权利要求7所述的半导体器件热分布的测试装置，其特征在于，所述第一压板（21）与外部测试回路（1）一端电性连接。