[发明专利]一种电芯结构以及二次电池

权利要求书

1.一种电芯结构，其特征在于，包括正极片、隔膜和负极片，所述隔膜分隔所述正极片和所述负极片，所述正极片包括正极集流体以及涂覆于正极集流体的热熔胶，所述负极片包括负极集流体以及涂覆于负极集流体的半导体材料，隔膜包括膜主体以及与膜主体并列设置的调节膜，所述调节膜的孔径大于膜主体的孔径，所述热熔胶设置于正极集流体与调节膜之间，所述半导体材料设置于负极集流体与调节膜之间；

其中，所述半导体材料为半导体硅基材料，所述半导体硅基材料包括二氧化硅、纳米硅中的至少一种；

当温度升高时，热熔胶受热收缩，使调节膜的孔打开，半导体材料受热膨胀并穿过调节膜的孔，并与正极集流体接触，从而发生短路。

2.根据权利要求1所述的电芯结构，其特征在于，所述热熔胶为热熔收缩性热熔胶，所述热熔胶的热熔温度为90~130℃。

3.根据权利要求1或2所述的电芯结构，其特征在于，所述膜主体的孔径为0.01~4µm，调节膜的孔径为100~600µm。

4.根据权利要求3所述的电芯结构，其特征在于，所述调节膜的孔径大于半导体材料的中位数粒径。

5.根据权利要求1所述的电芯结构，其特征在于，所述热熔胶涂覆于正极集流体的至少一边缘，所述半导体材料涂覆于负极集流体的至少一边缘，热熔胶涂覆区域与半导体材料涂覆区域相对。

6.根据权利要求5所述的电芯结构，其特征在于，所述热熔胶涂覆于正极集流体的一侧边缘，所述半导体材料涂覆于负极集流体的一侧边缘，热熔胶涂覆区域与半导体材料涂覆区域相对。

7.根据权利要求6所述的电芯结构，其特征在于，所述热熔胶在正极集流体的涂覆宽度大于或等于0.2mm，所述半导体材料在负极集流体的涂覆宽度大于或等于0.2mm。

8.根据权利要求1所述的电芯结构，其特征在于，所述正极集流体设置有正极耳，所述负极集流体设置有负极耳。

9.一种二次电池，其特征在于，包括电解液、壳体以及权利要求1-8中任一项所述电芯结构，壳体装设所述电解液和电芯结构。