[发明专利]一种用于制备单壁碳纳米角的工艺及设备

权利要求书

1.一种用于制备单壁碳纳米角的工艺，其特征在于，具体的步骤包括：

步骤一：通过第一驱动座(200)和第二驱动座(300)调整第一调节机构(400)和第二调节机构(500)之间的距离，打开抽气座将第一调节机构(400)和第二调节机构(500)之间的反应腔抽气成真空状；

步骤二：分别通过若干个第一输送管(902)和第二输送管(1002)向阴极石墨棒(700)和阳极石墨棒(800)之间输送气体；通过接口分别对阴极石墨棒(700)和阳极石墨棒(800)通电，通过直流电弧放电产生碳纳米角并落在收纳槽(607)上，将抽板(604)向外抽动并与收纳本体(601)分离，对收纳槽(607)上的碳纳米角进行收集；

步骤三：将清理后的抽板(604)推送至收纳本体(601)中，直至限位横板(608)与定位槽相抵接，打开若干个第三阀门使得集气座(1101)与设备主体(100)相贯通，通过第一驱动座(200)和第二驱动座(300)驱动第一调节机构(400)和第二调节机构(500)相向移动；

步骤四：第一调节机构(400)和第二调节机构(500)相向移动过程中将反应腔内表面的碳纳米角刮落并在收集环(402)内表面的下端堆积，通过若干个集气座(1101)对碳纳米角进行收集；

上述制备单壁碳纳米角的工艺通过制备设备实现，所述设备包括柱状的设备主体(100)，设备主体(100)的内部固定安装有柱状的第一分隔板(101)和第二分隔板(102)，设备主体(100)内部的中间位置设置有反应腔，反应腔内表面的两侧位置分别滑动连接有第一调节机构(400)和第二调节机构(500)，反应腔内表面的中间位置安装有收纳机构(600)、阴极石墨棒(700)和阳极石墨棒(800)，第一调节机构(400)包含固定环(401)，固定环(401)的一侧固定安装有收集环(402)；

设备主体(100)内部的两侧分别安装有用于驱动第一调节机构(400)移动的第一驱动座(200)和用于驱动第二调节机构(500)移动的第二驱动座(300)；第一分隔板(101)和第一调节机构(400)的内部均贯穿有若干个第一输送管(902)；第二分隔板(102)和第二调节机构(500)的内部均贯穿有若干个第二输送管(1002)。

2.根据权利要求1所述的一种用于制备单壁碳纳米角的工艺的设备，其特征在于，收纳机构(600)包含收纳本体(601)，收纳本体(601)的上端固定安装有第一上顶板(602)和第二上顶板(603)，收纳本体(601)的内部滑动连接有抽板(604)。

3.根据权利要求2所述的一种用于制备单壁碳纳米角的工艺的设备，其特征在于，抽板(604)的上端设置有收纳槽(607)，抽板(604)的两侧分别固定安装有弧状的第一挡板(605)和第二挡板(606)，抽板(604)的后端固定安装有限位横板(608)。

4.根据权利要求3所述的一种用于制备单壁碳纳米角的工艺的设备，其特征在于，第一上顶板(602)的上端设置有与阳极石墨棒(800)相适配的第一限位槽，第二上顶板(603)的上端设置有与阴极石墨棒(700)相适配的第二限位槽，第二上顶板(603)的内部设置有与限位横板(608)相适配的定位槽。

5.根据权利要求4所述的一种用于制备单壁碳纳米角的工艺的设备，其特征在于，在第一调节机构(400)上的若干个第一输送管(902)呈相向倾斜状排列，若干个第一输送管(902)上均安装有第一阀门；在第二调节机构(500)上的若干个第二输送管(1002)同样呈相向倾斜状排列，若干个第二输送管(1002)上均安装有第二阀门。

6.根据权利要求5所述的一种用于制备单壁碳纳米角的工艺的设备，其特征在于，设备主体(100)内部的两侧分别固定安装有若干个第一限位柱(900)和第二限位柱(1000)，第一限位柱(900)的外表面设置有与第一输送管(902)相连接的第一弹簧导管(901)；第二限位柱(1000)的外表面设置有与第二输送管(1002)相连接的第二弹簧导管(1001)。