[发明专利]可编程存储器及烧录方法在审

专利信息
申请号: 202210042115.1 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN116483385A 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 苗英豪;王富中 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: G06F8/61 分类号: G06F8/61
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 可编程 存储器 方法
【权利要求书】:

1.一种可编程存储器,其特征在于,包括:耦连的存储模块、对比模块、控制模块及电源模块;其中,

所述存储模块包括若干存储单元,所述对比模块包括参考电阻及比较单元,所述参考电阻通过节点依次连接各所述存储单元,所述节点具有节点电压,所述比较单元对比参考电压及所述节点电压,并输出比较信号至所述控制模块,所述控制模块根据所述比较信号提取烧录控制参数,并输出烧录控制信号至所述电源模块,所述电源模块响应所述烧录控制信号,并采用所述烧录控制参数烧录对应的所述存储单元;

各所述存储单元均具有对应的初始电阻值,分别经对应的所述烧录控制参数烧录至目标电阻值。

2.如权利要求1所述的可编程存储器,其特征在于,各所述存储单元通过所述节点分别串联所述参考电阻。

3.如权利要求1所述的可编程存储器,其特征在于,所述比较单元包括若干比较器,所述比较信号包括对应的若干对比信号,各所述比较器的第一输入端共同连接至所述节点,第二输入端分别接入对应的参考电压,输出端共同连接所述控制模块;其中,

各所述比较器分别对比所述节点电压及对应的所述参考电压,并输出对应的所述对比信号。

4.如权利要求3所述的可编程存储器,其特征在于,所述参考电压之间互不相同。

5.如权利要求4所述的可编程存储器,其特征在于,所述参考电压之间依次变大。

6.如权利要求3所述的可编程存储器,其特征在于,所述比较器之间,所述第一输入端均为正端,所述第二输入端均为负端;或,所述第一输入端均为负端,所述第二输入端均为正端。

7.如权利要求3所述的可编程存储器,其特征在于,所述对比信号具有逻辑值,所述参考电压大于或小于所述节点电压,所述逻辑值为0,所述参考电压小于或大于所述节点电压,所述逻辑值为1。

8.如权利要求7所述的可编程存储器,其特征在于,所述控制模块包括寄存器,所述寄存器基于所述逻辑值提取所述烧录控制参数,并输出所述烧录控制信号。

9.如权利要求8所述的可编程存储器,其特征在于,所述烧录控制参数包括预烧参数。

10.如权利要求9所述的可编程存储器,其特征在于,所述节点电压包括预烧节点电压,至少部分所述参考电压大于所述预烧节点电压。

11.如权利要求10所述的可编程存储器,其特征在于,所述预烧参数包括预烧时间及预烧电压,各所述存储单元均经所述预烧时间及预烧电压烧录,所述初始电阻值烧录至预烧电阻值,各存储单元之间,所述预烧时间及预烧电压均相等。

12.如权利要求11所述的可编程存储器,其特征在于,所述预烧电阻值小于所述初始电阻值,且大于或等于所述目标电阻值。

13.如权利要求12所述的可编程存储器,其特征在于,所述节点电压还包括补烧节点电压,所述补烧节点电压大于全部或部分所述参考电压。

14.如权利要求13所述的可编程存储器,其特征在于,所述烧录控制参数包括补烧参数,所述补烧参数包括补烧时间及补烧电压,部分所述存储单元经所述补烧时间及补烧电压烧录,所述预烧电阻值烧录至目标电阻值;其中,

存储单元之间,所述补烧电压均相等,或,所述补烧时间均相等。

15.如权利要求14所述的可编程存储器,其特征在于,所述补烧节点电压大于全部所述参考电压,所述补烧时间及所述补烧电压均为0。

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