[发明专利]半导体芯片检测图像成像方法有效

专利信息
申请号: 202210040038.6 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN114071133B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 苏州高视半导体技术有限公司
主分类号: H04N17/00 分类号: H04N17/00;H04N5/232;G01N21/84
代理公司: 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 代理人: 陈文福
地址: 215163 江苏省苏州市高新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 检测 图像 成像 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片检测图像成像方法,其特征在于,包括:

将第一待测芯片移动至检测成像位置,所述检测成像位置包含正面成像相机以及至少一个侧面成像相机;所述第一待测芯片为当前进行检测的芯片;

通过所述正面成像相机获取初始正面图像;

对所述初始正面图像进行角度纠正处理,得到第一角度纠正图像;

获取第二角度纠正图像,所述第二角度纠正图像为第二待测芯片的初始正面图像通过所述角度纠正处理得到的图像,所述第二待测芯片为上一个进行检测的芯片;

根据所述第一角度纠正图像以及所述第二角度纠正图像调整所述侧面成像相机的位置;

通过所述侧面成像相机获取第一侧面检测图像;

获取第二侧面检测图像,所述第二侧面检测图像为所述第二待测芯片的侧面成像;

根据所述第一侧面检测图像以及所述第二侧面检测图像调整所述正面成像相机的竖直成像距离,获取目标正面图像。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片检测图像成像方法,其特征在于,

所述对所述初始正面图像进行角度纠正处理,包括:

在所述初始正面图像中提取所述第一待测芯片的测试侧面边缘线,根据所述测试侧面边缘线以及所述初始正面图像的图像边缘线确定成像倾斜角度;

根据所述成像倾斜角度以及相机标定角度确定光轴倾斜角度,所述相机标定角度为所述侧面成像相机的侧面成像光轴与所述图像边缘线之间的预设标定角度,所述光轴倾斜角度为所述测试侧面边缘线与所述侧面成像光轴之间的夹角;

在所述初始正面图像中提取所述第一待测芯片的芯片区域图像,根据所述光轴倾斜角度确定所述芯片区域图像的校正旋转角度;

根据所述校正旋转角度调整所述芯片区域图像,使得所述测试侧面边缘线与所述侧面成像光轴垂直。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片检测图像成像方法,其特征在于,

所述根据所述校正旋转角度调整所述芯片区域图像之后,还包括:

根据所述校正旋转角度调整所述第一待测芯片的实际放置角度,使得所述第一待测芯片的测试侧面与所述侧面成像光轴垂直。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片检测图像成像方法,其特征在于,

所述根据所述第一角度纠正图像以及所述第二角度纠正图像调整所述侧面成像相机的位置,包括:

根据所述第一角度纠正图像与所述第二角度纠正图像确定侧面对焦偏差距离;

根据所述侧面对焦偏差距离调整所述侧面成像相机的位置。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片检测图像成像方法,其特征在于,

所述根据所述第一角度纠正图像与所述第二角度纠正图像确定侧面对焦偏差距离,包括:

分别提取所述第一角度纠正图像与所述第二角度纠正图像的测试侧面边界,得到第一侧面边界和第二侧面边界;

根据处于所述第一侧面边界和所述第二侧面边界之间的像素点确定第一像素偏差值,所述第一像素偏差值为所述第一角度纠正图像与所述第二角度纠正图像之间的相对偏移区域的像素值;

将所述第一像素偏差值与第一像素精度相乘,得到所述侧面对焦偏差距离;

所述第一像素精度为所述正面成像相机的正面相机像元尺寸,与所述正面成像相机的正面镜头放大倍率的商。

6.根据权利要求4所述的半导体芯片检测图像成像方法,其特征在于,

所述根据所述侧面对焦偏差距离调整所述侧面成像相机的位置,包括:

控制所述侧面成像相机沿所述第二角度纠正图像至所述第一角度纠正图像的偏移方向移动所述侧面对焦偏差距离。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片检测图像成像方法,其特征在于,

所述根据所述第一侧面检测图像以及所述第二侧面检测图像调整所述正面成像相机的竖直成像距离,包括:

根据所述第一侧面检测图像与所述第二侧面检测图像确定正面对焦偏差高度;

根据所述正面对焦偏差高度调整所述竖直成像距离。

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