[发明专利]一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法有效
申请号: | 202210035454.7 | 申请日: | 2022-01-13 |
公开(公告)号: | CN114310498B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 李炎;贺贤汉;王松;孔进进;余龙;张进 | 申请(专利权)人: | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B37/00;C23C14/34 |
代理公司: | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人: | 张强 |
地址: | 224200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 dpc 产品 贴膜前 处理 工艺 研磨 方法 | ||
1.一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)取陶瓷基板,浸入稀硫酸中清洗5~10min,再依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗,每次清洗时间均为10~15min,表面氮气吹干,180~200℃下烘烤5~8min,备用;
(2)取步骤(1)清洗后的陶瓷基板,以钛钨合金为靶材,在陶瓷基板两侧溅射钛钨合金层,所述钛钨合金层厚度为0.05~0.1μm;
(3)取溅射钛钨合金层的陶瓷基板,两侧磁控溅射薄铜层,所述薄铜层的厚度为0.5~1μm;
(4)将步骤(3)处理后的陶瓷基板置于电镀槽中,两侧电镀铜层,所述铜层的厚度为3~5μm,去离子水超声清洗20~30min,烘干,得到覆铜基板;步骤(4)中,电镀时电镀液各组分包括:硫酸铜100~110g/L、硫酸180~200g/L、氯离子50~60mg/L、硫酸高铈20~30mg/L、抑制剂160~180g/L、整平剂20~30g/L、光亮剂10~20g/L,余量为去离子水;
所述整平剂为含氮杂环共聚物、2-巯基吡啶、烯丙基硫脲、苯并三氮唑中的任意一种或两种复配;
所述含氮杂环共聚物制备步骤为:取苯并三氮唑、2-氨基苯并三氮唑和去离子水,混合均匀,氮气环境下加入1,4-丁二醇二缩水甘油醚,75~80℃下聚合反应7~8h,反应结束后去除溶剂,四氢呋喃洗涤过滤,得到产物;
(5)取覆铜基板,热处理后表面除油、微蚀,再将覆铜基板置于治具中固定,对覆铜基板两侧表面进行刷磨,去离子水喷淋,氮气吹干,进行后续图形电镀;
步骤(5)中,刷磨时将治具置于皮带上传动,通过尼龙刷对覆铜基板刷磨,尼龙刷目数为800目或1000目;刷磨时尼龙刷线速为0.9~1.1m/min,电流值为2.3A,空跑电流值为2.1A。
2.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法,其特征在于:步骤(5)中,所述治具与覆铜基板相互嵌合,治具内环四角为圆形,治具底部对称设有若干个通孔。
3.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法,其特征在于:步骤(2)、步骤(3)中,溅射工艺参数均为:真空度为9.0×10~8pa,溅射功率为300~400W,陶瓷基板温度为150~200℃。
4.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法,其特征在于:所述光亮剂为聚二硫二丙基磺酸钠,所述抑制剂为聚乙二醇。
5.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法,其特征在于:步骤(5)中,热处理温度为600~700℃,热处理时间为2~3h。
6.根据权利要求1所述的一种适用于DPC产品贴膜前处理工艺的研磨方法,其特征在于:步骤(5)中,除油步骤为:取热处理后的覆铜基板,依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗,每次清洗时间均为10~15min;
微蚀步骤为:除油后在20~30℃的硫酸溶液中处理3~5min,溢流水洗,吹干。
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