[发明专利]像素结构和阵列、电路和方法、图像传感器、存储介质

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：第一复位管、第一光电转换单元、第一存储节点、第一源跟随器和光电存储单元；

所述第一复位管的漏极适于输入电源电压，所述第一复位管的栅极适于输入控制信号；

所述第一光电转换单元，适于产生第一曝光电荷；

所述第一存储节点耦接所述第一复位管的源极、所述第一源跟随器的输入端和所述第一光电转换单元，所述第一存储节点适于将所述第一曝光电荷转换为第一曝光电压，并提供第一源输入电压至所述第一源跟随器的输入端，所述第一源输入电压与所述第一曝光电荷和所述控制信号相关；

所述第一源跟随器的输出端耦接所述光电存储单元，所述第一源跟随器的输出端适于提供第一源跟随电压至所述光电存储单元，所述第一源跟随电压与所述第一源输入电压相关；

所述光电存储单元包括：第二光电转换单元和第一电容单元；

所述第二光电转换单元，适于产生第二曝光电荷；

所述第一电容单元，适于将所述第二曝光电荷转换为所述第二曝光电压，并基于所述第一源极跟随电压和所述第二曝光电压提供像素电压。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一光电转换单元包括：第一光电二极管和第一传输管；

所述第一光电二极管的阴极耦接所述第一传输管的源极，所述第一光电二极管的阳极接地；

所述第一传输管的漏极耦接所述第一存储节点、所述第一复位管的源极和所述第一源跟随器的输入端。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二光电转换单元包括：第二光电二极管和第二传输管；

所述第二光电二极管的阴极耦接所述第二传输管的漏极，所述第二光电二极管的阳极接地；

所述第二传输管的源极耦接所述第一源跟随器的输出端。

4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第二光电转换单元还包括：第二复位管；

所述第二复位管的源极耦接所述第二光电二极管的阴极，所述第二复位管的漏极适于输入所述电源电压。

5.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，所述第二光电转换单元还包括：第二复位管和第三电容；

所述第二复位管的源极耦接所述第二光电二极管的阴极和所述第三电容的第一端，所述第二复位管的漏极耦接所述第一源跟随器的输出端；

所述第三电容的第二端接地。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电容单元包括：第一电容和第一充放管；

所述第一电容的第一端连接所述第一充放管的漏极，所述第一电容的第二端接地；

所述第一充放管的源极耦接所述第一源跟随器的输出端。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述光电存储单元还包括第二电容单元；

所述第二电容单元包括：第二电容和第二充放管；

所述第二电容的第一端连接所述第二充放管的漏极，所述第二电容的第二端接地；

所述第二充放管的源极耦接所述第一充放管的漏极或源极。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述光电存储单元还包括第二电容单元；

所述第二电容单元包括：第二电容和第二充放管；

所述第二电容的第一端连接所述第二充放管的漏极，所述第二电容的第二端接地；

所述第二充放管的源极耦接所述第一源跟随器的输出端。

9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述第二电容单元与所述第一电容单元串联的耦接在所述第一源跟随器的输出端。

10.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述第二电容单元与所述第一电容单元并联的耦接在所述第一源跟随器的输出端。

11.如权利要求8或10所述的像素结构，其特征在于，还包括：存储开关管；所述第一源跟随器的输出端通过所述存储开关管耦接所述光电存储单元。