[发明专利]一种纳米银导电膜以及纳米银电容屏在审
| 申请号： | 202210028420.5 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114429831A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 郭珺;曾西平;黄康志;蒲燕;赵振 | 申请（专利权）人： | 深圳市华科创智技术有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02;G06F3/044 |
| 代理公司： | 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 | 代理人： | 刘军锋 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 导电 以及 电容 | ||
1.一种纳米银导电膜，其特征在于，所述纳米银导电膜包括：基层、TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层，所述TX方向的纳米银膜层和RX方向的纳米银膜层分别涂布在所述基层的上下两面；
所述TX方向的纳米银膜层中包括沿TX方向的纳米银导电通道，所述RX方向的纳米银膜层中包括沿RX方向的纳米银导电通道；
其中，所述沿TX方向的纳米银导电通道中包括若干宽度相同的neck区域，每个neck区域中包括拓宽部分和非拓宽部分。
2.根据权利要求1所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述每个neck区域中包括2个拓宽部分和1个非拓宽部分，所述1个非拓宽部分位于所述2个拓宽部分的中间。
3.根据权利要求1所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述非拓宽部分的宽度为a，其中1mm≤a≤2mm。
4.根据权利要求1所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述非拓宽部分的宽度为a，其中a为2mm。
5.根据权利要求3或4所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述拓宽部分的宽度为b，其中，a≤b≤3mm。
6.根据权利要求3或4所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述拓宽部分的宽度为b，其中，b为2.5mm。
7.根据权利要求1所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述拓宽部分和非拓宽部分的长度相等。
8.一种纳米银电容屏，其特征在于，所述纳米银电容屏包括基板和设置于所述基板上的如权利要求1-7任一项所述的纳米银导电膜。
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