[发明专利]金属电容结构及其制备方法

权利要求书

1.一种金属电容结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上由下至上依次形成堆叠的底层金属层、第一层间介质层、中间金属层、第二层间介质层、顶层金属层及图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有开口；

以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述顶层金属层以形成第一开口，所述第一开口的横向宽度大于所述开口的横向宽度，所述第一开口露出所述第二层间介质层的表面；

沿着部分所述第一开口向下依次刻蚀所述第二层间介质层及所述中间金属层以形成第二开口，所述第二开口露出所述第一层间介质层的表面；以及，

去除所述图形化的光刻胶层。

2.如权利要求1所述的金属电容结构的制备方法，其特征在于，在形成所述第二开口后，还包括：

形成钝化层位于所述顶层金属层上并填充所述第一开口和所述第二开口；以及，

形成若干电连接件位于所述钝化层上，一部分所述电连接件穿过所述钝化层并与所述顶层金属层电性连接，且还穿过所述第一开口和所述第二开口内的钝化层和所述第一层间介质层并与所述底层金属层电性连接，剩余部分所述电连接件穿过所述第一开口内的钝化层和所述第二层间介质层并与所述中间金属层电性连接。

3.如权利要求1所述的金属电容结构的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述顶层金属层以形成所述第一开口。

4.如权利要求3所述的金属电容结构的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀剂包括氨水、双氧水和去离子水。