[发明专利]eFuse存储单元、安全密钥装置及其密钥设置方法、电子装置在审
| 申请号: | 202210023009.9 | 申请日: | 2022-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN114496046A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 杨建国;罗庆;戴晟;李憬 | 申请(专利权)人: | 北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;H01L27/112;G11C11/4078 |
| 代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 付婧 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | efuse 存储 单元 安全 密钥 装置 及其 设置 方法 电子 | ||
1.一种eFuse存储单元,其特征在于,包括:
第一晶体管,所述第一晶体管的源极用于连接编程电压输出端;
铁电电容,所述铁电电容的一端与所述第一晶体管的漏极相连,另一端用于连接脉冲电压输出端;
编程位线,与所述第一晶体管的栅极相连。
2.根据权利要求1所述的eFuse存储单元,其特征在于,所述eFuse存储单元还包括:
第二晶体管,所述第二晶体管的漏极与所述铁电电容的另一端相连,源极用于连接脉冲电压输出端;
字线,与所述第二晶体管的栅极相连。
3.根据权利要求2所述的eFuse存储单元,其特征在于,所述的第二晶体管为NMOS管。
4.根据权利要求1所述的eFuse存储单元,其特征在于,所述第一晶体管为PMOS晶体管。
5.一种安全密钥装置,其特征在于,包括:
多个eFuse存储单元,每个所述eFuse存储单元对应一位密钥,所述eFuse存储单元为权利要求1至4任一所述的eFuse存储单元;
编程电压发生器,与第一晶体管的源极相连,用于输出编程电压;
脉冲电压发生器,与铁电电容的另一端相连,用于输出脉冲电压;
灵敏放大器,与每个所述eFuse存储单元的第一晶体管和铁电电容连接的结点相连,用于采样每个所述铁电电容的存储信息。
6.根据权利要求5所述的安全密钥装置,其特征在于,所述安全密钥装置还包括:
第一电压传感器,与每个所述eFuse存储单元的第一晶体管的源极相连,用于采样输入所述第一晶体管的源极的电压,当采样到异常电压时,向所述编程发生器和所述脉冲电压发生器输出相应报警信息;
第二电压传感器,与每个所述eFuse存储单元的铁电电容的另一端相连,用于采样所述铁电电容另一端的电压,当采样到异常电压时,向所述编程发生器和所述脉冲电压发生器输出相应报警信息。
7.根据权利要求5所述的安全密钥装置,其特征在于,多个所述eFuse存储单元呈矩阵排列。
8.一种安全密钥装置的密钥设置方法,其特征在于,应用于权利要求5至7任一所述的安全密钥装置,包括:
控制第一晶体管关闭,脉冲信号发生器输出脉冲电压,灵敏放大器提取每个所述eFuse存储单元的密钥信息;
当密钥提取完成之后,控制所述第一晶体管导通,使第一晶体管的源极接地,脉冲信号发生器输出脉冲电压,向所述铁电电容写入覆盖信息,覆盖铁电电容中存储的密钥信息;
控制所述第一晶体管导通,根据每个所述eFuse存储单元的预设密钥信息,控制编程电压发生器输出与所述预设密钥信息对应的编程电压,控制脉冲信号发生器输出脉冲电压,使所述预设密钥信息写入所述铁电电容。
9.根据权利要求8所述的安全密钥装置的密钥设置方法,其特征在于,所述密钥设置方法还包括,当检测到第一晶体管的源极和/或铁电电容的另一端的电压异常时,开启所述第一晶体管,使所述第一晶体管的源极接地,向所述铁电电容的另一端输出脉冲电压。
10.一种电子装置,其特征在于,包括如权利要求5至7中任一项所述的安全密钥装置。
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