[发明专利]半导体装置的电气特性检查装置及半导体装置的电气特性检查方法

说明书

涉及半导体装置的电气特性检查装置及方法。目的在于提供能够容易地创建与半导体装置的电气特性检查相关的精密的测定条件的技术。电气特性检查装置(100)具有：存储部(101)，存储检查对象即半导体装置(108)的测定条件；控制部(102)，从存储部读出与所实施的检查内容对应的测定条件；感应电感控制电路部(104)，设定针对半导体装置的感应电感(L)；以及杂散电感控制电路部(106)，设定针对半导体装置的杂散电感(Ls)。控制部(102)基于从存储部读出的测定条件，通过对感应电感控制电路部(104)进行控制而调整感应电感(L)，并且通过对杂散电感控制电路部(106)进行控制而调整杂散电感(Ls)。

技术领域

本发明涉及半导体装置的电气特性检查装置及半导体装置的电气特性检查方法。

背景技术

在以往的电气特性检查装置中，通过在检查装置内具有对针对半导体装置的感应电感进行调整的电路，从而基于与所实施的检查内容对应的测定条件而供给测定电流及测定电压(例如参照专利文献1)。另外，在以往的电气特性检查装置中，在检测到供给来的测定电流或测定电压的异常的情况下，利用切断开关而对检查装置进行保护并实施检查。

专利文献1：日本特开2009-168630号公报

在以往的电气特性检查装置中，使用在检查装置内对针对半导体装置的感应电感进行调整的电路而创建了测定条件，但不具有对杂散电感进行调整的结构。

存在于检查装置内的杂散电感对检查时的浪涌电压及电流变化速度di/dt等的增减起作用。为了创建考虑了这样的杂散电感的精密的测定条件，需要检查装置内的配线长度的调整及电感器的更换等调整，难以创建精密的测定条件。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供能够容易地创建与半导体装置的电气特性检查相关的精密的测定条件的技术。

本发明涉及的半导体装置的电气特性检查装置具有：存储部，其对检查对象即半导体装置的测定条件进行存储；控制部，其从所述存储部读出与所实施的检查内容对应的所述测定条件；感应电感控制电路部，其设定针对所述半导体装置的感应电感；以及杂散电感控制电路部，其设定针对所述半导体装置的杂散电感，所述控制部基于从所述存储部读出的所述测定条件，通过对所述感应电感控制电路部进行控制而调整所述感应电感，并且通过对所述杂散电感控制电路部进行控制而调整所述杂散电感。

发明的效果

根据本发明，控制部除了感应电感以外还对杂散电感进行调整，因此，不需要检查装置内的配线长度的调整及电感器的更换等调整，能够容易地创建考虑了存在于检查装置内的杂散电感的精密的测定条件。

附图说明

图1是表示实施方式涉及的半导体装置的电气特性检查装置的结构的一个例子的框图。

图2是表示实施方式涉及的半导体装置的电气特性检查方法的一个例子的流程图。

图3是表示实施方式涉及的半导体装置的电气特性检查装置所具有的杂散电感控制电路部的结构的一个例子的电路图。

图4是表示杂散电感控制电路部所具有的减调整用开关的切换状态与初级电感器的电感之间的关系的图。

图5是表示杂散电感控制电路部所具有的加调整用开关的切换状态与次级电感器的电感之间的关系的图。

图6是表示RBSOA试验中的测定电压和测定电流的波形的图。

具体实施方式

＜实施方式＞

以下，使用附图对实施方式进行说明。图1是表示实施方式涉及的半导体装置的电气特性检查装置100的结构的一个例子的框图。