[发明专利]一种基于体内植入式芯片的微型三维电感

权利要求书

1.一种基于体内植入式芯片的微型三维电感，其特征在于，包括：

微型三维电感单元，包括骨架，所述骨架包括用于置入磁芯的通孔以及缠绕线圈的外骨架，所述外骨架包括用于横向绕线的第一外骨架、用于竖向绕线的第二外骨架以及用于纵向绕线的第三外骨架；

外部磁场传感单元，其用于向微型三维电感单元提供磁通量；

控制单元，其与所述微型三维电感单元与所述外部磁场传感单元相连接，用于根据所述微型三维电感单元的工作效率对外部磁场传感单元的磁场输入角度进行调节，以使微型三维电感单元的工作效率符合预设标准。

2.根据权利要求1所述的基于体内植入式芯片的微型三维电感，其特征在于，所述控制单元根据植入式芯片的反馈的数据量s与预设数据量S0相比较，判定是否对所述微型三维电感单元根据进行充电，其中，

当s＞S0，所述控制装置判定不需要对所述微型三维电感单元充电；

当s≤S0，所述控制装置判定启动外部磁场传感单元对所述微型三维电感单元充电。

3.根据权利要求2所述的基于体内植入式芯片的微型三维电感，其特征在于，所述控制单元设置有自学习模块，所述自学习模块根据植入式芯片应用领域获取微型三维电感单元工作效率标准值，其中，控制单元预设第一应用领域A1、第二应用领域A2···第n应用领域An，控制单元预设微型三维电感单元工作效率a，设定第一预设工作效率标准值a1、第二预设工作效率标准值a2···第n预设工作效率标准值an，自学习模块根据当前植入式芯片应用领域Ai选取第i预设工作效率标准值ai为当前应用于植入式芯片的微型三维电感单元工作效率标准值。

4.根据权利要求3所述的基于体内植入式芯片的微型三维电感，其特征在于，所述自学习模块根据获取的当前微型三维电感单元工作效率标准值ai与预设工作效率标准值a0相比较，对各外骨架的线圈匝数进行调节，其中，

当ai≤a0，所述自学习模块降低各外骨架线圈匝数zp至zp1，设定zp1＝zp×(1-(a0-ai)/a0)；

当ai＞a0，所述自学习模块提高各外骨架线圈匝数zp至zp2,设定zp2＝zp×(1+(ai-a0-)/a0)；

其中，所述自学习模块预设第一外骨架线圈匝数z1、第二外骨架线圈匝数z2、第三外骨架线圈匝数z3，其中，p＝1,2,3。

5.根据权利要求4所述的基于体内植入式芯片的微型三维电感，其特征在于，所述控制单元设置各外骨架线圈权值Kp，设定kp＝m/m0×(zpk/zp0),其中,m为用于向各外骨架缠绕的电感线圈单个线圈的横截面积,m0为单个线圈的横截面积标准值，zpk为各外骨架线圈匝数，zp0为各外骨架线圈匝数标准值，k＝1,2。

6.根据权利要求5所述的基于体内植入式芯片的微型三维电感，其特征在于，所述控制单元根据各外骨架线圈权值Kp，与所述外磁场传感单元和各外骨架线圈法向所成的夹角αp，获取当前微型三维电感单元实际工作效率E，设定E＝∑Kp×cosαp，控制单元根据获取的当前微型三维电感单元实际工作效率E与获取的当前微型三维电感单元工作效率标准值ai相比较，对控制单元判定对所述外部磁场传感单元的磁场输入角度进行调节，其中，

当E≤ai-△e，所述控制单元判定当前微型三维电感单元实际工作效率不符合预设标准，控制单元判定对所述外部磁场传感单元的磁场输入角度进行调节；

当ai-△e＜E＜ai+△e，所述控制单元判定当前微型三维电感单元实际工作效率符合预设标准，控制单元不对所述外部磁场传感单元的磁场输入角度进行调节；

当E≥ai+△e，所述控制单元判定当前微型三维电感单元实际工作效率不符合预设标准，控制单元判定对所述外部磁场传感单元的磁场输入角度进行调节；

其中，△e为所述控制单元预设误差参数，控制单元预设外磁场传感单元与各外骨架线圈法向所成的夹角α，设定外磁场传感单元与第一外骨架线圈法向所成的夹角α1、外磁场传感单元与第二外骨架线圈法向所成的夹角α2、外磁场传感单元与第三外骨架线圈法向所成的夹角α3。