[发明专利]应用于开关柜放电分解组分的金属改性MoSe2 在审
| 申请号: | 202210017562.1 | 申请日: | 2022-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN114324773A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 王国凡;唐汪洋;刘朝东;孙南巡;何帮颖;梁朝晖;李睿;桂银刚 | 申请(专利权)人: | 国家电网有限公司;国网重庆市电力公司巫山供电分公司 |
| 主分类号: | G01N33/00 | 分类号: | G01N33/00 |
| 代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 罗庆 |
| 地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 应用于 开关柜 放电 分解 组分 金属 改性 mose base sub | ||
1.一种应用于开关柜放电分解组分的金属改性MoSe2吸附性能分析方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1.对本征MoSe2结构、金属改性MoSe2结构以及放电分解组分气体结构进行优化分析,得到优化后的本征MoSe2结构、金属改性MoSe2结构以及放电分解组分气体结构;
S2.基于步骤S1中优化后的结构,构建放电分解组分气体在金属改性MoSe2表面的最佳吸附结构;
S3.对所述最佳吸附结构进行状态密度分析,得到金属改性MoSe2的吸附机理;
S4.对所述最佳吸附结构进行分子轨道分析,得到金属改性MoSe2的吸附效果。
2.根据权利要求1所述的应用于开关柜放电分解组分的金属改性MoSe2吸附性能分析方法,其特征在于:构建放电分解组分气体在金属改性MoSe2表面的最佳吸附结构,具体包括:
计算若干不同初始位置和取向的金属改性MoSe2吸附结构;
将若干金属改性MoSe2吸附结构中满足设定标准的金属改性MoSe2吸附结构作为放电分解组分气体在金属改性MoSe2表面的最佳吸附结构。
3.根据权利要求2所述的应用于开关柜放电分解组分的金属改性MoSe2吸附性能分析方法,其特征在于:所述设定标准包括吸附距离、吸附能以及电荷转移。
4.根据权利要求3所述的应用于开关柜放电分解组分的金属改性MoSe2吸附性能分析方法,其特征在于:根据如下公式确定吸附能Eads:
Eads=Egas/metal-MoSe2-Emetal-MoSe2-Egas
其中,Egas/metal-MoSe2为放电分解组分气体吸附的金属改性MoSe2的总能量;Emetal-MoSe2为金属改性MoSe2的总能量;Egas为放电分解组分中孤立气体分子的总能量。
5.根据权利要求3所述的应用于开关柜放电分解组分的金属改性MoSe2吸附性能分析方法,其特征在于:根据如下公式确定电荷转移:
Qt=Qads–Qiso
其中,Qt为气体分子与金属改性MoSe2之间的电荷转移;Qads为吸附后气体分子的携带电荷;Qiso为吸附前气体分子的携带电荷。
6.根据权利要求1所述的应用于开关柜放电分解组分的金属改性MoSe2吸附性能分析方法,其特征在于:所述状态密度分析包括总态密度分析以及分态密度分析。
7.根据权利要求1所述的应用于开关柜放电分解组分的金属改性MoSe2吸附性能分析方法,其特征在于:所述分子轨道分析包括最高占据分子轨道分析以及最低未占分子轨道分析。
8.根据权利要求1所述的应用于开关柜放电分解组分的金属改性MoSe2吸附性能分析方法,其特征在于:所述金属为Pd、Pt以及Ni中的一种。
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