[发明专利]仿真模型及仿真方法在审
| 申请号： | 202210017151.2 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114764552A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 只熊利弥 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 仿真 模型 方法 | ||
1.一种仿真模型，其用于对具有载流子积蓄层的沟槽栅型IGBT即CSTBT的特性进行评价的仿真，
该仿真模型具有：
MOSFET；
二极管，其阴极与所述MOSFET的漏极连接；
电容CGE，其连接于所述MOSFET的源极和栅极之间，表示所述CSTBT的栅极-发射极间电容；
电容CCG，其连接于所述MOSFET的栅极和所述二极管的阳极之间，表示所述CSTBT的栅极-集电极间电容；
电容CCE，其连接于所述MOSFET的源极和所述二极管的阳极之间，表示所述CSTBT的集电极-发射极间电容；
电容CDG，其连接于所述MOSFET的漏极和栅极之间，表示所述CSTBT的漏极-栅极间电容；以及
行为电源VDG，其在所述MOSFET的漏极和栅极之间，与所述电容CDG串联连接，表示所述CSTBT的漏极-栅极间电压，
如果所述CSTBT的栅极-发射极间电压VGE达到预先规定的阈值，则所述行为电源VDG进行切换动作。
2.根据权利要求1所述的仿真模型，其中，
所述电容CCG依赖于所述CSTBT的栅极-集电极间电压VCG而变化。
3.根据权利要求2所述的仿真模型，其中，
使Ca、Ct、Vt、Vc为常数，使所述CSTBT的栅极-集电极间电压VCG为变量，所述电容CCG由Ca(1-Ct*2/π)arctan{(VCG-Vt)/Vc}表示。
4.根据权利要求1所述的仿真模型，其中，
所述电容CCG由第1行为电流源和电阻的并联连接表示，
在由参考电阻及参考电容的串联连接体、与所述串联连接体的两端连接的第2行为电流源、表示与所述串联连接体的两端连接的所述CSTBT的栅极-集电极间电压VCG的行为电压源构成的电路中，
在所述第2行为电流源流动的电流由所述CSTBT的栅极-集电极间电压VCG的时间微分、所述电容CCG及所述参考电容表现，
在所述行为电压源流动的电流与所述第1行为电流源的电流相当。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的仿真模型，其中，
所述电容CCE依赖于所述CSTBT的集电极-发射极间电压VCE而变化。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的仿真模型，其中，
所述电容CGE依赖于所述CSTBT的栅极-发射极间电压VGE而变化。
7.一种仿真模型，其是具有所述CSTBT的6合1模块的仿真模型，
对所述6合1模块所具有的所述CSTBT应用权利要求1至6中任一项所述的仿真模型。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的仿真模型，其中，
还具有对所述MOSFET的栅极施加电压的栅极驱动电路。
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