[发明专利]中熵MAX相材料及中熵二维材料及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 202210016499.X | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114751750B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 杨树斌;杜志国 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622;C01B32/90;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京谱帆知识产权代理有限公司 11944 | 代理人： | 张慧娟;王芊雨 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | max 材料 二维 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种中熵 MAX 相材料，其特征在于，所述中熵 MAX 相材料的化学通式为 Mn+1AXn，由M 元 素、A 元素和 X 元素组成，其中，所述 M 元素选自Ti、Nb、Ta、Zr、V、Hf、Cr中的三种或四种，M不为Ti、Nb和Ta的组合；所述 A 元素为铝元素；所述 X 元素为碳，或，碳和氮元素；
配料步骤：按照中熵 MAX 相材料化学通式的中各元素的化学计量比确定称取含有该元素的原料的需求量；
烧结步骤：将所述原料在保护气氛下或真空环境下，预定温度下烧结，得到中熵 MAX相材料。
2.如权利要求1所述的中熵 MAX 相材料，其特征在于，所述烧结温度介于 800℃～1500℃之间。
3.如权利要求1所述的中熵 MAX 相材料，其特征在于，在所述配料步骤的原料需求量中，所述 M 元素、所 述 A 元素和所述 X 元素的摩尔比为（
4.如权利要求1所述的中熵 MAX 相材料，其特征在于，所述原料中包括：所述 M 元素的单质、所述 A 元素的单质或所述 X 元素的单质。
5.如权利要求1所述的中熵 MAX 相材料，其特征在于，所述原料中包括：所述 A 元素和所述 X 元素的化合物，或，所述 M元素与所述X元素的化合物。
6.如权利要求1所述的中熵 MAX 相材料，其特征在于，所述原料中包括：至少一种MAX相材料，所述MAX 相材料中，M 元素的元素种类数为 1至3。
7.一种中熵 MAX 相材料，其特征在于，所述中熵 MAX 相材料的化学通式为 Mn+1AXn，由M 元 素、A 元素和 X 元素组成，其中，所述 M 元素选自Ti、Nb、Ta、Zr、V、Hf、Cr中的三种或四种；所述 A 元素为铝元素；所述 X 元素为碳，或，碳和氮元素；
8.一种中熵 MAX 相材料，其特征在于，所述中熵 MAX 相材料的化学通式为 Mn+1AXn，由M 元 素、A 元素和 X 元素组成，其中，所述M元素选自Ti、Nb、Ta、Zr、V、Hf、Cr中的三种或四种；所述 A 元素为铝元素；所述 X 元素为碳和氮元素；
9.如权利要求 8所述的中熵 MAX 相材料，其特征在于，所述 M 元素选自 Ti、Nb、Ta、Zr中的三种或四种元素。
10.一种中熵二维材料，其特征在于，具有二维片层结构，其化学通式为 Mn+1Xn，由 M 元素和 X 元素组成，所述M元素选自Ti、Nb、Ta、Zr、V、Hf、Cr中的三种或四种，所述 X 元素选自碳，或，碳和氮元素，所述中熵二维材料为单一相，且
11.如权利要求10 所述的中熵二维材料，其特征在于，所述二维片层结构的厚度介于1nm 至 20nm 之间；
和/或，所述中熵二维材料含有官能团包括：-F、-Cl、-Br或-I 的一种或多种。
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