[发明专利]穿孔式波分多路复用滤波器在审

专利信息
申请号: 202210014916.7 申请日: 2022-01-07
公开(公告)号: CN114910999A 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 亚历克·哈蒙德;卞宇生;米歇尔·拉科斯基;李袁熙;阿西夫·J·乔杜里;R·A·安葛尔;阿卜杜勒萨拉姆·阿博克塔夫 申请(专利权)人: 格芯(美国)集成电路科技有限公司
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 穿孔 式波分 多路复用 滤波器
【权利要求书】:

1.一种用于波分多路复用滤波器的结构,其特征在于,该结构包括:

第一平板,具有第一周长;

第一波导芯,耦接到该第一平板;

多个第二波导芯,耦接到该第一平板;以及

第二平板,定位成与该第一平板重叠,该第二平板包含第二周长及在该第二周长内的多个开口,且该第二平板的该多个开口穿透该第二平板。

2.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该第一平板包含分布于该第一周长内的多个开口,且该第一平板的该多个开口穿透该第一平板。

3.如权利要求2所述的结构,其特征在于,该第一平板的该多个开口占据的该第一周长内的第一总面积的百分比小于或等于百分之二十。

4.如权利要求3所述的结构,其特征在于,该第二平板的该多个开口占据的该第二周长内的第二总面积的百分比小于或等于百分之三十。

5.如权利要求2所述的结构,其特征在于,该第一平板包括第一超材料,且该第二平板包括第二超材料。

6.如权利要求2所述的结构,其特征在于,该第一平板包括单晶硅,且该第二平板包括氮化硅。

7.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该第二平板的该多个开口占据的该第二周长内的总面积的百分比小于百分之三十。

8.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该第二平板包括超材料。

9.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:

第一介电层;以及

第二介电层,位于该第一介电层上方,

其中,该第一平板定位于该第一介电层上,且该第二介电层定位于该第一平板与该第二平板间。

10.一种用于波分多路复用滤波器的结构,其特征在于,该结构包括:

第一平板,具有第一周长,该第一平板具有分布于该第一周长内的多个开口,且该第一平板的该多个开口穿透该第一平板;

第一波导芯,耦接到该第一平板;

多个第二波导芯,耦接到该第一平板;以及

第二平板,定位成与该第一平板重叠,该第二平板包含第二周长。

11.如权利要求10所述的结构,其特征在于,该第一平板的该多个开口占据的该第一周长内的总面积的百分比小于或等于百分之二十。

12.如权利要求11所述的结构,其特征在于,该第一平板包括单晶硅,且该第二平板包括氮化硅。

13.如权利要求10所述的结构,其特征在于,该第一平板包括超材料。

14.如权利要求10所述的结构,其特征在于,还包括:

第一介电层;以及

第二介电层,位于该第一介电层上方,

其中,该第一平板定位于该第一介电层上,且该第二介电层定位于该第一平板与该第二平板间。

15.如权利要求10所述的结构,其特征在于,该第二平板的该第二周长围绕无开口的实心层。

16.一种形成用于波分多路复用滤波器的结构的方法,其特征在于,该方法包括:

形成具有第一周长的第一平板;

形成耦接到该第一平板的第一波导芯;

形成耦接到该第一平板的多个第二波导芯;以及

形成与该第一平板重叠且包含多个开口的第二平板,该多个开口分布在该第二平板的第二周长内且穿透该第二平板。

17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,通过使用逆向设计软件的按规格设计方法形成该第二平板。

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