[发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

以所述衬底的第一面为上表面，在所述衬底中形成字线；

在所述字线上形成隔离层，所述隔离层的表面与所述衬底的所述第一面平齐；

在部分所述衬底中和所述衬底上的外围区形成与所述字线的一端电连接的连接层，所述连接层贯穿所述隔离层，且所述连接层的一端位于所述字线内部；

在所述连接层上形成第一导电层；

以所述衬底的第二面为上表面，在所述衬底中形成导电插塞；其中，所述导电插塞与所述字线和所述连接层的另一端电连接，并通过所述字线与所述第一导电层电连接；所述第一面和所述第二面是所述衬底在厚度方向上相对的两个面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底至少包括阵列区和外围区；

在所述衬底中形成字线，包括：

以所述衬底的第一面为上表面，同时在所述阵列区和所述外围区形成所述字线；

所述在部分所述衬底中和所述衬底上形成与所述字线的一端电连接的连接层，包括：

在所述外围区形成与所述字线的一端电连接的所述连接层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过以下步骤在所述外围区形成所述字线：

在所述外围区形成具有第一厚度的第一凹槽；

形成覆盖所述第一凹槽侧壁的字线介质层；

于具有所述字线介质层的第一凹槽中填充第二导电层；

对所述第二导电层进行回刻，形成表面低于所述衬底的所述第一面的所述第二导电层，以得到所述字线。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述外围区形成与所述字线的一端电连接的所述连接层，包括：

在所述外围区形成与所述第二导电层电连接的所述连接层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述字线的表面与所述衬底的所述第一面之间的距离为第二厚度；

在所述外围区形成与所述字线的一端电连接的所述连接层，包括：

在所述隔离层、所述字线介质层和所述衬底上形成第一介质层；

在所述第一介质层、所述隔离层和所述字线中，形成贯穿所述第一介质层和所述隔离层，且贯穿部分字线厚度的第二凹槽，其中所述第二凹槽的厚度大于所述第二厚度与所述第一介质层的厚度之和；

填充所述第二凹槽，形成与所述字线的一端电连接的所述连接层。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述衬底中形成导电插塞，包括：

以所述衬底的第二面为上表面，在所述衬底中形成第三凹槽，所述第三凹槽显露部分字线介质层；

去除所述第三凹槽中显露的所述部分字线介质层，以显露所述第二导电层；

填充显露所述第二导电层的第三凹槽，形成与所述第二导电层的另一端电连接的所述导电插塞。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述形成与所述导电层的另一端电连接的所述导电插塞，包括：

形成依次覆盖所述第三凹槽表面的衬垫和缓冲层；

去除覆盖所述第二导电层的部分衬垫和部分缓冲层，以显露所述第二导电层；

形成覆盖所述缓冲层和显露的第二导电层的第三导电层，所述第三导电层填充满所述第三凹槽。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述连接层表面形成第一导电层，包括：

在具有所述连接层的第一介质层表面形成第二介质层；

形成贯穿所述第二介质层的第四凹槽，所述第四凹槽显露所述连接层；

填充所述第四凹槽，形成所述第一导电层，所述第一导电层电连接所述连接层。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述连接层表面形成第一导电层时，所述方法还包括：

在所述阵列区形成所述第一导电层，所述第一导电层电连接所述阵列区的源极或漏极。