[发明专利]空气中分子污染物的检测方法及铜互连结构的形成方法

权利要求书

1.一种洁净室空气中分子污染物的检测方法，用于在铜制程的洁净室中检测空气中分子污染物，其特征在于，包括：

提供至少一个检测基板，所述检测基板的表面形成有灵敏层，所述灵敏层覆盖所述检测基板的整面，所述灵敏层包括金属铜层；

将所述检测基板放置于洁净室中预设时间，并获取所述检测基板的缺陷数据，所述缺陷数据为所述洁净室的空气中分子污染物于所述灵敏层中形成的点缺陷的数量，其中，所述灵敏层的厚度为80埃~120埃，所述预设时间为3小时~4小时；以及，

比较所述检测基板的缺陷数据是否小于所述洁净室的预设缺陷数值，若是，则判定所述洁净室的空气中分子污染物浓度正常，若否，则判定所述洁净室的空气中分子污染物浓度超标。

2.根据权利要求1所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，在所述铜制程的电镀铜工艺前或工艺中检测洁净室空气中分子污染物。

3.根据权利要求1所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，所述灵敏层采用物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，所述检测基板与所述灵敏层之间依次有氧化硅层、氮化钽层及钽层，所述氧化硅层覆盖所述检测基板，所述灵敏层覆盖所述钽层。

5.根据权利要求1所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，利用经验证空气中分子污染物正常的产品基板的历史缺陷数据分布获得所述预设缺陷数值。

6.根据权利要求5所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，所述历史缺陷数据分布为一偏分布，取所述偏分布的最大值的90%为所述预设缺陷数值。

7.根据权利要求1所述的洁净室空气中分子污染物的检测方法，其特征在于，所述检测基板的缺陷数据大于或等于所述预设缺陷数值，对所述检测基板的缺陷执行透射电子显微镜分析及能量色散X射线光谱分析，用于分析所述缺陷的类型。

8.一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

采用如权利要求1至7中任一项所述的方法检测洁净室空气中的分子污染物；

若所述洁净室的空气中分子污染物的浓度正常，则对产品基板执行铜电镀工艺以形成电镀铜层，所述产品基板上覆盖有籽晶铜层，所述电镀铜层覆盖所述籽晶铜层。