[发明专利]具有多层级式的层的混合边缘耦合器在审
申请号: | 202210012650.2 | 申请日: | 2022-01-07 |
公开(公告)号: | CN114910998A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | K·K·德兹富良;卞宇生;K·J·吉旺特;K·努米 | 申请(专利权)人: | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 多层 混合 边缘 耦合器 | ||
1.一种用于边缘耦合器的结构,其特征在于,该结构包括:
第一介电层,包含边缘;
第一波导芯区,位于该第一介电层上,该第一波导芯区具有端面,且该第一波导芯区朝向该端面而纵长逐渐变细;
多个节段,位于该第一介电层上,该多个节段定位于该第一波导芯区与该第一介电层的该边缘间;以及
波导芯,包含以重叠布置定位于该第一波导芯区上方的第一区段,该波导芯具有端面,且该第一区段朝向该端面而纵长逐渐变细。
2.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该波导芯的该第一区段居中在该第一波导芯区上方。
3.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该波导芯包括氮化硅,且该第一波导芯区及该多个节段包括单晶硅。
4.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该第一波导芯区的该端面定位于该波导芯的该第一区段下方。
5.如权利要求4所述的结构,其特征在于,还包括:
第二波导芯区,覆盖有该多个节段,该第二波导芯区连接到该第一波导芯区,
其中,该波导芯的该端面定位于该第二波导芯区及该多个节段上方。
6.如权利要求4所述的结构,其特征在于,还包括:
第二波导芯区,覆盖有该多个节段,该第二波导芯区连接到该第一波导芯区,
其中,该波导芯的该端面定位于该第一波导芯区上方。
7.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:
第二波导芯区,覆盖有该多个节段,该第二波导芯区连接到该第一波导芯区,
其中,该波导芯的该端面定位于该第二波导芯区及该多个节段上方。
8.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:
第二波导芯区,覆盖有该多个节段,该第二波导芯区连接到该第一波导芯区,
其中,该波导芯的该端面定位于该第一波导芯区上方。
9.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该第一波导芯区及该多个节段包括硅,该波导芯包括氮化硅,且还包括:
第二介电层,定位于该第一波导芯区与该波导芯的该第一区段间。
10.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该第一介电层定位于衬底上,且该衬底包含在该第一介电层的该边缘下方及该多个节段下方延伸的凹槽。
11.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该第一波导芯区及该波导芯的该第一区段在相反方向逐渐变细。
12.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该多个节段及该第一波导芯区沿着纵向轴线对齐,且该多个节段沿着该纵向轴线间隔开。
13.如权利要求1所述的结构,其特征在于,还包括:
后端堆栈,位于该波导芯上方;以及
第二介电层,具有与该后端堆栈相接的界面,该第二介电层从该界面延伸到该第一介电层的该边缘,
其中,该波导芯的该端面与该界面共同延伸。
14.如权利要求13所述的结构,其特征在于,该界面及该波导芯的该端面定位于该多个节段上方。
15.如权利要求1所述的结构,其特征在于,该波导芯包含与该第一区段邻接的第二区段,该第一区段定位于该第二区段与该端面间,且该第一波导芯区的该端面定位于该波导芯的该第二区段下方。
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