[发明专利]一种晶体生长动态温场调节装置

权利要求书

1.一种晶体生长动态温场调节装置，包括：

炉体，用于向内置的坩埚传递热量；

加热感应圈，外设于炉体，通电产生交变磁力线，让金属质坩埚涡流发热；

坩埚，装载单晶熔体；

籽晶提拉杆，顶部连接单晶提拉机构，用于为单晶生长提供初始的生长方向，单晶提拉机构控制单晶底部与单晶熔体始终接触；

其特征在于还包括：

保温罩，立放于炉体上方，底部与炉体形成生长腔，其上设置有将生长腔连通至外部的炉孔和贯通孔，炉孔提供籽晶提拉杆垂直活动空间；

环形反射器，设于生长腔内与单晶同轴且位于单晶溶液上3-20mm，用于控制单晶与单晶熔体接触面的温度梯度；

随动杆，下端通过贯通孔贯通保温罩后连接环形反射器，上端连接随动机构，随动机构被配置为控制环形反射器在单晶熔体上的高度。

2.根据权利要求1所述的温场调节装置，其特征在于：所述炉体底部内置有保温层。

3.根据权利要求2所述的温场调节装置，其特征在于：所述保温层上放置有坩埚托，坩埚放置于坩埚托上。

4.根据权利要求1所述的温场调节装置，其特征在于：所述环形反射器随着熔体液面下降而跟随下降，下降速度满足如下公式：

其中，K为熔体液面高度下降量，D为坩埚内径，v为籽晶杆提拉速度，d为单晶直径，A单晶密度，B为熔体密度，t_n为n节点时间，t_n+1为n+1节点时间。

5.根据权利要求4所述的温场调节装置，其特征在于：

所述坩埚内装盛的单晶熔体的量固定，单晶直径固定，目标单晶的长度既定；

当生长单晶上半部时，环形发射器维持在熔体液面上方10-20mm；

当生长单晶下半部时，环形反射器维持在熔体液面上方3-10mm。