[发明专利]一种叠层钙钛矿太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号: | 202210009618.9 | 申请日: | 2022-01-06 |
| 公开(公告)号: | CN114447025A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
| 发明(设计)人: | 何凤琴;海建平;闫光蕊;侯雯文;刘英 | 申请(专利权)人: | 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
| 地址: | 810007 青海省西*** | 国省代码: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 叠层钙钛矿 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种叠层钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述叠层钙钛矿太阳能电池包括从上到下依次设置的第一电极、钙钛矿太阳能电池、硅太阳能电池和第二电极;其中,所述第一电极为网格型金属电极,位于所述钙钛矿太阳能电池的最外层上;所述第二电极为网格型金属电极,位于所述硅太阳能电池的最外层上。
2.根据权利要求1所述的叠层钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池包括从上到下依次设置的电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层和空穴收集层,其中,所述第一电极设置于所述电子传输层的背向所述钙钛矿光吸收层的表面上;所述硅太阳能电池包括从上到下依次设置的第一透明导电薄膜、p型非晶硅层、第一本征非晶硅层、硅片衬底、第二本征非晶硅层、n型非晶硅层、第二透明导电薄膜,其中,所述第二电极设置于所述第二透明导电薄膜的背向所述n型非晶硅层的表面上,且所述第一透明导电薄膜与所述空穴收集层紧密接触。
3.根据权利要求2所述的叠层钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述第一电极的网格图案为相同尺寸的蜂窝网格图案,并且,所述第一电极包括层叠的厚度为10nm~20nm的镍金属层和厚度为30nm~80nm的金金属层。
4.根据权利要求3所述的叠层钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述第一电极的网格图案的线宽为5um,所述第一电极的网格图案的边长为87um。
5.根据权利要求3所述的叠层钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述第一电极的网格图案的线宽为50um,所述第一电极的网格图案的边长为870um。
6.根据权利要求2所述的叠层钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述第二电极包括等距离设置的横向细栅线和等距离设置的纵向细栅线,且所述横向细栅线和所述纵向细栅线垂直连接形成网格状;其中,所述横向细栅线和所述纵向细栅线的线宽均为35um,所述第二电极的厚度为10um~15um,所述第二电极为银电极。
7.一种叠层钙钛矿太阳能电池的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在硅片衬底的第一表面上制作形成第一本征非晶硅层,且在所述硅片衬底的第二表面上制作形成第二本征非晶硅层,所述第一表面和所述第二表面相对;
在所述第一本征非晶硅层上制作形成p型非晶硅层,且在在所述第二本征非晶硅层上制作形成n型非晶硅层;
在所述p型非晶硅层上制作形成第一透明导电薄膜,且在所述n型非晶硅层上制作形成第二透明导电薄膜;
在所述第二透明导电薄膜上制作形成第二电极;
在所述第一透明导电薄膜上制作形成空穴收集层;
在所述空穴收集层上制作形成空穴传输层;
在所述空穴传输层上制作形成钙钛矿光吸收层;
在所述钙钛矿光吸收层上制作形成电子传输层;
在所述电子传输层上制作形成第一电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





