[发明专利]一种体声波谐振器的制备方法及制备装置在审
申请号: | 202210009064.2 | 申请日: | 2022-01-06 |
公开(公告)号: | CN114301408A | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 南天翔;曹昌铭;田世伟 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H03H3/02 | 分类号: | H03H3/02 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李丹;栗若木 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 声波 谐振器 制备 方法 装置 | ||
1.一种体声波谐振器的制备方法,包括:
在衬底材料上制备谐振振子和支撑锚;其中,谐振振子包含预设的通孔;所述谐振振子和所述支撑锚组成区域的外侧存在腐蚀性流体流向衬底的通路;
在制备的谐振振子上制备第一材料层;
图形化处理第一材料层获得阻断掩模;其中,所述阻断掩模用于阻断除通孔外所有腐蚀性流体的通路;
腐蚀性流体通过谐振振子的通孔流向衬底,以在衬底上刻蚀空腔;
去除阻断掩模,获得体声波谐振器。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述去除阻断掩模,包括:通过溶解和/或等离子体轰击去除所述阻断掩模。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述谐振振子包括底电极和压电材料薄膜;
所述通孔包括:设置在所述底电极上的一个以上第一通孔和设置在所述压电材料薄膜上的一个以上第二通孔。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述谐振振子包括顶电极和压电材料薄膜;
所述通孔包括:设置在所述顶电极上的一个以上第三通孔和设置在所述压电材料薄膜上的一个以上第二通孔。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述谐振振子包括:底电极、压电材料薄膜和顶电极;
所述通孔包括:设置在所述底电极上的一个以上第一通孔、设置在所述压电材料薄膜上的一个以上第二通孔和设置在所述顶电极上的一个以上第三通孔。
6.一种体声波谐振器的制备方法,包括:
在衬底材料上制备谐振振子和支撑锚;其中,谐振振子包含预设的通孔;所述谐振振子和所述支撑锚组成区域的外侧存在腐蚀性流体流向衬底的通路;
在制备的谐振振子上制备第一材料层;
图形化处理第一材料层获得阻断掩模;其中,阻断掩模用于阻断除通孔外所有腐蚀性流体的通路;
在获得的阻断掩模上制备第二材料层;
图形化处理第二材料层获得图形化掩模;
腐蚀性流体通过谐振振子的通孔流向衬底,以在衬底上刻蚀空腔;
利用图形化掩模刻蚀阻断掩模;
去除图形化掩模,获得体声波谐振器。
7.一种体声波谐振器的制备装置,包括:第一制备单元、第二制备单元、第一图形化单元、第一刻蚀单元和第一去除单元;其中,
第一制备单元设置为:在衬底材料上制备谐振振子和支撑锚;其中,谐振振子包含预设的通孔;所述谐振振子和所述支撑锚组成区域的外侧存在腐蚀性流体流向衬底的通路;
第二制备单元设置为:在制备的谐振振子上制备第一材料层;
第一图形化单元设置为:图形化处理第一材料层获得阻断掩模;其中,阻断掩模用于阻断除通孔外所有腐蚀性流体的通路;
第一刻蚀单元设置为:腐蚀性流体通过谐振振子的通孔流向衬底,以在衬底上刻蚀空腔;
第一去除单元设置为:去除阻断掩模,获得体声波谐振器。
8.根据权利要求7所述的制备装置,其特征在于,所述第二去除单元是设置为:通过溶解和/或等离子体轰击去除所述阻断掩模。
9.根据权利要求8所述的制备装置,其特征在于,所述谐振振子包括:底电极、压电材料薄膜和顶电极;
所述通孔包括:设置在所述底电极上的一个以上第一通孔、设置在所述压电材料薄膜上的一个以上第二通孔和设置在所述顶电极上的一个以上第三通孔。
10.一种体声波谐振器的制备装置,包括:第一制备单元、第二制备单元、第一图形化单元、第三制备单元、第二图形化单元、第一刻蚀单元、第二刻蚀单元和第二去除单元;其中,
第一制备单元设置为:在衬底材料上制备谐振振子和支撑锚;其中,谐振振子包含预设的通孔;所述谐振振子和所述支撑锚组成区域的外侧存在腐蚀性流体流向衬底的通路;
第二制备单元设置为:在制备的谐振振子上制备第一材料层;
第一图形化单元设置为:图形化处理第一材料层获得阻断掩模;其中,阻断掩模用于阻断除通孔外所有腐蚀性流体的通路;
第三制备单元设置为:在获得的阻断掩模上制备第二材料层;
第二图形化单元设置为:图形化处理第二材料层,获得图形化掩模;
第一刻蚀单元设置为:腐蚀性流体通过谐振振子的通孔流向衬底,以在衬底上刻蚀空腔;
第二刻蚀单元设置为:利用图形化掩模刻蚀阻断掩模;
第二去除单元设置为:去除图形化掩模,获得体声波谐振器。
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