[发明专利]一种声表面波传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种声表面波传感器，其特征在于，包括在硅衬底上依次铺设的键合层、金属层和单晶压电薄膜层，所述单晶压电薄膜层上设置有叉指电极。

2.根据权利要求1所述的声表面波传感器，其特征在于，沿所述叉指电极的叉指排列方向的两侧分别设置有反射栅，所述反射栅与所述叉指电极同层设置。

3.根据权利要求2所述的声表面波传感器，其特征在于，所述单晶压电薄膜层上开设第一条形通槽，所述第一条形通槽围成具有自由端和固定端的工作区域，所述金属层上对应所述第一条形通槽位置开设第二条形通槽，所述键合层上对应所述第二条形通槽开设有第三条形通槽，所述第一条形通槽位于所述反射栅和所述叉指电极的外侧，所述硅衬底上设置有凹槽，所述第三条形通槽与所述凹槽连通，所述凹槽的截面积大于所述工作区域。

4.根据权利要求3所述的声表面波传感器，其特征在于，所述第一条形通槽包括三个，三个所述第一条形通槽相互垂直且首尾相连，三个所述第一条形通槽的端点的连线围合成长方形，三个所述第一条形通槽的投影落入所述凹槽的投影范围内，以使所述工作区域与所述硅衬底形成悬臂梁结构。

5.根据权利要求3所述的声表面波传感器，其特征在于，所述第一条形通槽包括三个，三个所述第一条形通槽首尾相连且三个所述第一条形通槽的端点连线围合成梯形，且所述梯形的底边为所述工作区域的自由端。

6.根据权利要求4或5所述的声表面波传感器，其特征在于，所述凹槽与所述工作区域对应设置，三个所述第一条形通槽的投影与所述凹槽的投影的三个边缘重合。

7.根据权利要求4所述的声表面波传感器，其特征在于，所述单晶压电薄膜层为AlN层或者ScAlN层。

8.一种声表面波传感器的制备方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆包括单晶衬底以及在所述单晶衬底上依次层叠设置的单晶压电薄膜层、金属层和第一键合层；

提供盖帽晶圆，所述盖帽晶圆包括硅衬底以及在所述硅衬底上设置的第二键合层；

所述器件晶圆与所述盖帽晶圆通过所述第一键合层与所述第二键合层键合；

去除所述器件晶圆的单晶衬底；

在所述单晶压电薄膜层上制备叉指电极和反射栅。

9.根据权利要求8所述的声表面波传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述单晶压电薄膜层上制备叉指电极和反射栅之后，所述方法还包括：

刻蚀硅衬底，在所述硅衬底远离第二键合层的侧面的中心位置处上形成方槽；

刻蚀所述器件晶圆和第二键合层，在所述器件晶圆上形成第四条形通槽，在所述第二键合层上对应所述第四条形通槽形成第五条形通槽，所述第四条形通槽包括三个，三个所述第四条形通槽相互垂直且首尾相连，三个所述第四条形通槽的投影与所述方槽的投影的边缘重合。

10.根据权利要求8所述的声表面波传感器的制备方法，其特征在于，所述在所述单晶压电薄膜层上制备叉指电极和反射栅包括，所述叉指电极与所述反射栅同层同材料设置。