[发明专利]一种Mg-3.0Zn医用镁合金的SiC孕育处理工艺

权利要求书

1.一种Mg-3.0Zn医用镁合金的SiC孕育处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1、合金的熔炼：

采用电阻炉和低碳钢坩埚熔化Mg-3.0Zn合金，并采用纯Ar作为保护气体防止熔融态合金被氧化，合金熔化后保持100rpm的转速搅拌2min，并撇去熔体上的渣滓；

S2、浇注：

将SiC颗粒在纯Ar的保护下预热至500℃，然后加入到熔融合金中，保持100rpm的转速搅拌5min，确保SiC颗粒均匀混合，合金在700℃下保温15min，然后将其浇注至预热到200℃的铸模中，凝固后空冷至室温。

2.根据权利要求1所述一种Mg-3.0Zn医用镁合金的SiC孕育处理工艺，其特征在于，

步骤S2进一步还包括：

S201、SiC的添加含量的确定：

在740℃下向Mg-3.0Zn熔融合金中添加含量为0.0～10.0％，颗粒尺寸为2μm的SiC，观察合金的铸态组织晶粒形貌，确定SiC的最佳添加量；

S202、SiC的颗粒直径的确定：

在确定了最佳添加量的基础上，添加不同粒径大小的SiC，观察Mg-3.0Zn合金的铸态组织，确定SiC的最佳颗粒粒径；

S203、SiC的添加温度的确定：

在确定了最佳添加量和最佳颗粒粒径的基础上，改变添加温度，观察合金系统的铸态组织，确定最佳添加温度；

S204、保温时间的确定：

在确定了最佳添加量、最佳颗粒粒径、最佳添加温度的基础上，改变保温时间，观察合金系统的铸态组织，确定最佳保温时间。

3.根据权利要求2所述一种Mg-3.0Zn医用镁合金的SiC孕育处理工艺，其特征在于，步骤S202中所述的添加不同粒径，粒径的大小范围0.1～10μm。

4.根据权利要求2所述一种Mg-3.0Zn医用镁合金的SiC孕育处理工艺，其特征在于，步骤S203中所述的添加温度的范围为700～760℃。

5.根据权利要求2所述一种Mg-3.0Zn医用镁合金的SiC孕育处理工艺，其特征在于，步骤S202中所述的保温时间的范围0～60min。