[发明专利]磁传感器在审

专利信息
申请号: 202180080813.4 申请日: 2021-12-06
公开(公告)号: CN116635695A 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 今中崇 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: G01D5/16 分类号: G01D5/16
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 潘剑颖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器
【权利要求书】:

1.一种磁传感器,包括:

绝缘基板;

至少一个磁阻元件;

导体,被布置为将所述至少一个磁阻元件电连接到外部电路;以及

密封物,所述密封物不仅完全密封所述至少一个磁阻元件,而且至少部分地密封所述绝缘基板和所述导体,

所述磁阻元件包括:

磁阻膜,形成在所述绝缘基板的第一表面上;以及

电极,设置在所述绝缘基板的所述第一表面上,所述电极的一端电连接到所述磁阻膜,所述电极的另一端电连接到所述导体的第一端部,

所述密封物从相互不同的表面暴露所述绝缘基板的第二表面和所述导体的第二端部。

2.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,

所述至少一个磁阻元件还包括保护涂层,所述保护涂层形成在所述绝缘基板的所述第一表面上以保护所述磁阻膜。

3.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

所述保护涂层形成为完全或基本完全覆盖所述绝缘基板的所述第一表面,以及

通过使所述电极的所述另一端穿透所述保护涂层和/或设置穿过所述保护涂层的孔以允许焊料或凸块穿过所述孔,所述电极的所述另一端电连接到所述导体的所述第一端部。

4.根据权利要求3所述的磁传感器,其中,

所述保护涂层包括:无机保护膜,形成在所述绝缘基板上的所述磁阻膜上;以及有机保护膜,形成在所述无机保护膜上,

所述电极至少穿透所述无机保护膜以到达所述有机保护膜,并且

所述有机保护膜具有允许所述焊料或所述凸块至少部分地穿过的孔。

5.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

所述保护涂层形成在所述绝缘基板的所述第一表面的一部分上,以及

所述电极设置在所述绝缘基板的所述第一表面的不存在所述保护涂层的其余部分上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的磁传感器,其中,

所述绝缘基板由包含蓝宝石作为主要成分的材料制成。

7.根据权利要求6所述的磁传感器,其中,

所述绝缘基板具有等于或大于100μm且等于或小于150μm的厚度。

8.根据权利要求6或7所述的磁传感器,其中,

所述绝缘基板将其所述第一表面和所述第二表面镜面抛光。

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