[发明专利]多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及多晶硅的热处理方法

权利要求书

1.一种多晶硅棒，其中，从与中心轴平行的表面沿径向直到深度4mm为止的部分中的铁、铬及镍的各浓度进行合计所得的外侧总浓度为100pptw以下，

若将对于从所述表面沿径向离开超过4mm的部分中的所述铁、所述铬及所述镍的各浓度进行合计所得的总浓度设为内侧总浓度，则所述外侧总浓度相对于所述内侧总浓度的比率为1.0以上且2.5以下。

2.根据权利要求1所述的多晶硅棒，其中，所述径向上的内部形变率小于1.0×10^-4cm^-1。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅棒，其直径为100mm以上。

4.一种多晶硅棒的制造方法，其包括：

析出工序，该工序通过在氯硅烷化合物及氢的存在下对硅芯线进行加热，从而在所述硅芯线的表面上析出多晶硅；以及

热处理工序，该工序在氢、氩及氦中至少一种以上的气体的存在下对所述析出工序中析出的所述多晶硅进行热处理，

若将所述析出工序中加热所述硅芯线时流过该硅芯线的电流的电流值开始减少的时刻所述多晶硅的表面温度设为T1，则所述热处理工序中所述多晶硅的表面温度T2包括T1+30℃以上且T1+100℃以下的期间，且小于1030℃。

5.根据权利要求4所述的多晶硅棒的制造方法，其中，

在反应器的直体部的内部进行所述析出工序及所述热处理工序，

在所述热处理工序中，若将流入所述反应器的所述气体、即第一退火用气体的流量设为F1，并将所述直体部的截面积设为S，则该工序包括F1/S的值达到20Nm³/hr/m²以上的期间。

6.根据权利要求5所述的多晶硅棒的制造方法，其中，

在所述热处理工序之后，还包括冷却所述多晶硅的冷却工序，

在所述冷却工序中，若将流入所述反应器的所述气体、即第二退火用气体的流量设为F2，则该工序包括F2/S的值达到0.4Nm³/hr/m²以上的期间。

7.一种多晶硅的热处理方法，其包括热处理工序，该工序在氢、氩及氦中至少一种以上的气体的存在下，在反应器的直体部的内部对多晶硅进行热处理，

在所述热处理工序中，若将流入所述反应器的所述气体、即第一退火用气体的流量设为F1，并将所述直体部的截面积设为S，则该工序包括F1/S的值达到20Nm³/hr/m²以上的期间。