[发明专利]基于X射线检验集成电路的方法和系统在审
| 申请号: | 202180065195.6 | 申请日: | 2021-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN116249895A | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
| 发明(设计)人: | 布伦南·洛夫莱斯·彼得森;哈克·丘阿·斯姆;安德鲁·乔治·里德;纳比尔·法拉·达瓦雷·奥利维里 | 申请(专利权)人: | 布鲁克纳米公司 |
| 主分类号: | G01N23/04 | 分类号: | G01N23/04 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 射线 检验 集成电路 方法 系统 | ||
1.一种由自动化高速X射线检验系统执行的方法,包括以下步骤:
在与被检验样本的平面基本正交的方向上生成所述被检验样本的X射线图像,其中所述X射线图像是高分辨率的灰度图像;
确定所述被检验样本中所关注的第一要素的第一部分的第一横截面形状,其中所述第一横截面形状是基于与所述所关注的第一要素相关联的X射线图像的多个灰度值确定的;
确定所述被检验样本中所述所关注的第一要素的第二部分的第二横截面形状,其中所述第二横截面形状是基于与所述所关注的第一要素相关联的X射线图像的多个灰度值确定的;以及
基于所述第一横截面形状与所述第二横截面形状的比较来确定与所述被检验样本中的所述所关注的第一要素相关联的一个或多个第一计量参数。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述被检验样本是集成电路封装,且其中所述所关注的第一要素是所述集成电路封装的焊料凸块。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一横截面形状和所述第二横截面形状是使用边缘滤波器基于与所述所关注的第一要素相关联的X射线图像的多个灰度值确定的。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一横截面形状和所述第二横截面形状是椭圆形或圆形,且其中所述所关注的第一要素的第一部分对应于焊料凸块的第一端,而所述所关注的第一要素的第二部分对应于所述焊料凸块的第二端。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:
确定对应于所述第一横截面形状和所述第二横截面形状的一个或多个非重叠区域的一个或多个新月形区域。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括以下步骤:
基于所述一个或多个新月形区域来确定偏移向量,其中所述偏移向量与所述所关注的第一要素的第二部分相对于所述所关注的第一要素的第一部分的偏移距离和偏移方向相关联,且其中所述一个或多个第一计量参数包括所述偏移距离和所述偏移方向。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括以下步骤:
基于所述偏移距离和所述偏移方向来确定所述被检验样本的第一层相对于所述被检验样本的第二层的失准度量,其中所述被检验样本的第一层与所述所关注的第一要素的第一部分相关联,且所述被检验样本的第二层与所述所关注的第一要素的第二部分相关联。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:
基于所关注的第二要素的第三部分的第三横截面形状与所述所关注的第二要素的第四部分的第四横截面形状的比较来确定与所述被检验样本中的所述所关注的第二要素相关联的一个或多个第二计量参数。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述一个或多个第一计量参数包括所述所关注的第一要素的第一横截面形状和第二横截面形状的第一尺寸参数,且其中所述一个或多个第二计量参数包括所述所关注的第二要素的第三横截面形状和第四横截面形状的第二尺寸参数。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括以下步骤:
基于与所述所关注的第一要素相关联的第一尺寸参数和与所述所关注的第二要素相关联的第二尺寸参数来确定所述被检验样本的第一层相对于所述被检验样本的第二层的倾斜角度。
11.根据权利要求9所述的方法,还包括以下步骤:
基于与所述所关注的第一要素相关联的第一尺寸参数和与所述所关注的第二要素相关联的第二尺寸参数来确定所述被检验样本的第一层相对于所述被检验样本的第二层的层距偏移。
12.根据权利要求8所述的方法,还包括以下步骤:
确定所述所关注的第一要素的第一部分相对于所述所关注的第一要素的第二部分的第一偏移向量;和
确定所述所关注的第二要素的第三部分相对于所述所关注的第二要素的第四部分的第二偏移向量。
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