[发明专利]发光器件、发光装置、电子设备以及照明装置在审
| 申请号： | 202180058383.6 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN116057612A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 河野优太;植田蓝莉;渡部刚吉;大泽信晴;鸟巢桂都;尾坂晴惠;濑尾哲史 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 装置 电子设备 以及 照明 | ||
1.一种发光器件，包括：
阳极；
阴极；以及
位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，
其中，所述EL层包括空穴传输区域、发光层及电子传输区域，
所述空穴传输区域位于所述阳极与所述发光层之间，
所述电子传输区域位于所述阴极与所述发光层之间，
所述空穴传输区域包括通过涂敷并焙烧包含杂多酸的清漆而形成的层，
所述电子传输区域包含具有电子传输性的有机化合物，
并且，所述具有电子传输性的有机化合物对于波长为455nm以上且465nm以下的光的寻常光折射率为1.50以上且1.75以下。
2.一种发光器件，包括：
阳极；
阴极；以及
位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，
其中，所述EL层包括空穴传输区域、发光层及电子传输区域，
所述空穴传输区域位于所述阳极与所述发光层之间，
所述电子传输区域位于所述阴极与所述发光层之间，
所述空穴传输区域包括通过涂敷并焙烧包含杂多酸的清漆而形成的层，
所述电子传输区域包含具有电子传输性的有机化合物，
并且，所述具有电子传输性的有机化合物对于波长为633nm的光的寻常光折射率为1.45以上且1.70以下。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，
其中所述空穴传输区域包括通过涂敷并焙烧包含所述杂多酸及具有富π电子型芳香环的有机化合物或所述杂多酸及具有富π电子型杂芳环的有机化合物的清漆而形成的层。
4.根据权利要求3所述的发光器件，
其中所述具有富π电子型芳香环的有机化合物及所述具有富π电子型杂芳环的有机化合物为芳基胺。
5.一种发光器件，包括：
阳极；
阴极；以及
位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，
其中，所述EL层包括空穴传输区域、发光层及电子传输区域，
所述空穴传输区域位于所述阳极与所述发光层之间，
所述电子传输区域位于所述阴极与所述发光层之间，
所述空穴传输区域包含杂多酸，
所述电子传输区域包含具有电子传输性的有机化合物，
并且，所述具有电子传输性的有机化合物对于波长为455nm以上且465nm以下的光的寻常光折射率为1.50以上且1.75以下。
6.一种发光器件，包括：
阳极；
阴极；以及
位于所述阳极与所述阴极之间的EL层，
其中，所述EL层包括空穴传输区域、发光层及电子传输区域，
所述空穴传输区域位于所述阳极与所述发光层之间，
所述电子传输区域位于所述阴极与所述发光层之间，
所述空穴传输区域包含杂多酸，
所述电子传输区域包含具有电子传输性的有机化合物，
并且，所述具有电子传输性的有机化合物对于波长为633nm的光的寻常光折射率为1.45以上且1.70以下。
7.根据权利要求5或6所述的发光器件，
其中所述空穴传输区域包含所述杂多酸及具有富π电子型芳香环的有机化合物或所述杂多酸及具有富π电子型杂芳环的有机化合物。
8.根据权利要求7所述的发光器件，
其中所述具有富π电子型芳香环的有机化合物及所述具有富π电子型杂芳环的有机化合物为芳基胺。
9.根据权利要求5或6所述的发光器件，
其中所述空穴传输区域包含所述杂多酸及叔胺。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的发光器件，
其中所述杂多酸为磷钨酸。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的发光器件，
其中所述空穴传输区域包含芳基磺酸。
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