[发明专利]发光二极管和包括该发光二极管的显示装置在审
| 申请号: | 202180058053.7 | 申请日: | 2021-08-11 |
| 公开(公告)号: | CN116057719A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
| 发明(设计)人: | 李从元;柳济源;柳喆锺;赵显敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;韩芳 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 包括 显示装置 | ||
1.一种发光元件,所述发光元件包括:
第一半导体层、第二半导体层和活性层,所述活性层设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间;
保护层,设置为围绕所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述活性层中的至少一个的外表面;以及
绝缘层,设置为围绕所述保护层的外表面,
其中,所述保护层包括二维(2D)材料。
2.根据权利要求1所述的发光元件,其中,
所述二维材料包括CaF2、Ti0.9O2、云母、SiO2、WS2、MoS2、Ni(OH)2、Cu(OH)2、Mg(OH)2、GaS、滑石和hBN中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的发光元件,其中,
所述二维材料的带隙为3.5eV或更大。
4.根据权利要求1所述的发光元件,其中,
所述保护层部分地设置在所述第一半导体层、所述第二半导体层或所述活性层的外表面上,并且
所述第一半导体层、所述第二半导体层或所述活性层的由所述保护层暴露的外表面与所述绝缘层接触。
5.根据权利要求1所述的发光元件,其中,
所述保护层完全设置在所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述活性层的外表面上。
6.根据权利要求1所述的发光元件,其中,
所述保护层直接设置在所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述活性层的外表面上。
7.根据权利要求1所述的发光元件,其中,
所述绝缘层由无机材料制成。
8.根据权利要求7所述的发光元件,其中,
所述无机材料包括SiOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、AlNx、ZrOx、HfOx和TiOx中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的发光元件,其中,
所述绝缘层包括与所述第一半导体层、所述第二半导体层或所述活性层相同的材料。
10.根据权利要求1所述的发光元件,其中,
所述绝缘层直接设置在所述保护层上。
11.一种显示装置,所述显示装置包括:
多个像素,所述多个像素中的每个包括:第一电极和第二电极,彼此间隔开;以及发光元件,设置在所述第一电极与所述第二电极之间,并且,
所述发光元件中的每个包括:半导体芯;保护层,设置为围绕所述半导体芯的外表面,以及绝缘层,设置为围绕所述保护层的外表面,
其中,所述保护层包括二维(2D)材料。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
所述保护层部分地设置在所述半导体芯的所述外表面上,并且
由所述保护层暴露的所述半导体芯与所述绝缘层接触。
13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
所述保护层完全设置在所述半导体芯的所述外表面上。
14.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
所述二维材料包括CaF2、Ti0.9O2、云母、SiO2、WS2、MoS2、Ni(OH)2、Cu(OH)2、Mg(OH)2、GaS、滑石和hBN中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180058053.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





