[发明专利]用于总线反转的信令机制在审
| 申请号: | 202180054148.1 | 申请日: | 2021-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN116034431A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
| 发明(设计)人: | S·D·汉娜;J·S·帕里 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 赵子杰 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 总线 反转 机制 | ||
描述了支持用于总线反转的信令机制的方法、系统和装置。支持经由总线将信息从第一控制器传递到第二控制器的控制信号还可配置成指示通过所述总线传送的数据是否反转。所述控制信号可以是启用所述第二控制器处控制信息的接收的控制信号。所述控制信号在数据被传输到所述第二控制器时可由所述第一控制器控制,并且在数据被传输到所述第一控制器时可由所述第二控制器控制。
本专利申请要求汉纳(Hanna)等人于2020年7月29日提交的标题为“用于总线反转的信令机制(SIGNALING MECHANISM FOR BUS INVERSION)”的第16/942,564号美国专利申请的优先权,所述申请转让给本受让人且以引用的方式明确并入本文中。
背景技术
下文大体上涉及用于存储器的一或多个系统,更具体地说,涉及用于总线反转的信令机制。
存储器装置广泛用于在各个电子装置中存储信息,例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等。信息通过将存储器装置内的存储器单元编程到各个状态来存储。例如,二进制存储器单元可以编程成两个支持状态中的一个,通常表示为逻辑1或逻辑0。在一些实例中,单个存储器单元可支持超过两个状态,其中任一个状态可被存储。为了存取所存储的信息,组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息,组件可写入或编程存储器装置中的状态。
存在各种类型的存储器装置和存储器单元,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在下仍可维持所存储的逻辑状态很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失它们所存储的状态。
附图说明
图1示出根据本文所公开的实例的支持用于总线反转的信令机制的系统的实例。
图2示出根据本文所公开的实例的支持用于总线反转的信令机制的存储器系统的实例。
图3示出根据本文所公开的实例的支持用于总线反转的信令机制的信号图的实例。
图4和5示出根据本文所公开的实例的支持用于总线反转的信令机制的存储器控制器的框图。
图6到9示出根据本文所公开的实例的流程图,示出了支持用于总线反转的信令机制的一或多种方法。
具体实施方式
数据可以在存储器系统(例如,与非(NAND)存储器系统)内传送,此存储器系统在一些情况下可被替代地称作存储器子系统。例如,数据可以经由内部接口(例如,系统级NAND控制器和装置级或“本地”NAND控制器之间)在系统级控制器和系统内装置的装置级控制器之间传送。内部接口可以是或包含用于传送信息(例如,控制信息和/或数据)的总线。在一些情况下,内部接口可以根据一或多个标准或协议,例如开放NAND快闪接口(ONFI),仅作为一个实例。
在一些情况下,控制信号和数据可以并行地通过接口传送。例如,控制信号可用于使本地NAND控制器能够接收系统级NAND控制器通过总线传输的命令和/或存储器地址。通过总线传送数据所消耗的功率量可基于在传送数据时发生在总线上的转变(例如,电压转变)数量。例如,消耗的功率量可随着转变数量的增加而增加。
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