[发明专利]抗蚀等离子体处理室部件

权利要求书

1.一种用于半导体处理室的部件，其包含：

部件主体；以及

所述部件主体的面向半导体处理的表面，其适用于在所述半导体处理室中面对半导体处理，其中所述面向半导体处理的表面包含：1)掺有掺杂剂的硅的层，其中所述掺杂剂为下列至少一者：碳、硼、钨、钼和钽，其中所述掺杂剂的摩尔百分比浓度介于0.01％至50％的范围内；或2)掺有掺杂剂的碳的膜层，其中所述掺杂剂为下列至少一者：硅、硼、钨、钼和钽，其中所述掺杂剂的摩尔百分比浓度介于0.01％至50％的范围内；或3)主要由硼所构成的层；或4)主要由钽所构成的层。

2.根据权利要求1所述的部件，其中所述部件主体形成下列至少一者：所述半导体处理室的衬垫、电极、气体注入器、喷头电极、约束环、以及边缘环。

3.根据权利要求1所述的部件，其中所述部件主体是硅、硼、或碳部件主体基板。

4.根据权利要求3所述的部件，其中所述部件主体掺有掺杂剂，其中所述掺杂剂为下列至少一者：硼、钨、钼和钽，其中所述掺杂剂在所述部件主体中的摩尔百分比浓度介于0.01％至50％的范围内。

5.根据权利要求3所述的部件，其中未掺有所述掺杂剂的所述部件主体基板为摩尔百分比纯度90％的硅或摩尔百分比纯度90％的碳。

6.根据权利要求1所述的部件，其中所述层的厚度介于0.001mm至25mm的范围内。

7.根据权利要求1所述的部件，其中所述层为掺有硼的硅，且其中所述部件主体为硅。

8.根据权利要求1所述的部件，其中所述部件主体包含铝。

9.根据权利要求1所述的部件，其中所述层包含多个层压层。

10.一种提供使用于半导体处理室的部件的方法，其包含：在所述部件的面向半导体处理的表面上形成层，其中1)所述层包含掺有掺杂剂的硅，其中所述掺杂剂为以下至少一者：碳、硼、钨、钼和钽，其中所述掺杂剂的摩尔百分比浓度介于0.01％至50％的范围内；或2)所述层包含掺有掺杂剂的碳，其中所述掺杂剂为以下至少一者：硅、硼、钨、钼和钽，其中所述掺杂剂的摩尔百分比浓度在介于0.01％至50％的范围内；或3)所述层主要由硼或钽构成。

11.根据权利要求10所述的方法，其还包含在所述面向半导体处理的表面上形成所述层之前，剥除所述面向半导体处理的表面的一部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述组件是使用过的部件，且其中所述剥除所述面向半导体处理的表面的一部分剥除所述面向半导体处理的表面上的用过的层。

13.根据权利要求10所述的方法，其中在所述面向半导体处理的表面上形成所述层包含：在所述面向半导体处理的表面上生长硅层或碳层，其中所述硅层或碳层掺有所述掺杂剂。

14.根据权利要求10所述的方法，其中在所述面向半导体处理的表面上形成所述层包含：由掺有掺杂剂的硅形成所述部件，其中所述掺杂剂为以下至少一者：碳、硼、钨、钼和钽；或由掺有掺杂剂的碳形成所述部件，其中所述掺杂剂为以下至少一者：硼、钨、钼、硅和钽。

15.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述层包含使用下列至少一者：化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、烧结、热喷涂、气溶胶沉积、增材制造、以及聚合物转化。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述层与部件通过掺杂熔化的硅，并且接着固化所述熔化的硅所形成。