[发明专利]海藻培养系统

权利要求书

1.一种培养系统，其包括培养基质，所述培养基质包括低孔隙率基质，所述低孔隙率基质的孔隙率为约10％或更小，并具有被配置为通过固着物保留海藻的原纤化亚微米表面结构。

2.如权利要求1所述的培养系统，其中，所述原纤化亚微米表面结构的特征在于平均原纤维间距离最高达1000nm并包括1000nm。

3.如权利要求1或2所述的培养系统，其中，所述原纤化亚微米表面结构具有约1000nm或更小的平均深度。

4.如权利要求1至3中任一项所述的培养系统，其中，所述原纤化亚微米表面结构具有约5nm或更小的平均深度。

5.如权利要求1至4中任一项所述的培养系统，其中，低孔隙率基质的厚度约为25.4μm(1密耳)至约762μm(30密耳)。

6.如权利要求1至5中任一项所述的培养系统，其中，低孔隙率基质的厚度约为25.4μm(1密耳)至约127μm(5密耳)。

7.如权利要求1至6任一项所述的培养系统，其中，所述培养基质被配置为带、基质(基材)、机织制品、非织造制品、编织制品、针织制品、织物、颗粒分散体，或上述两种或更多种的组合。

8.如权利要求1至7任一项所述的培养系统，其中，所述培养基质包括背衬层、载体层、多个层的层压体、复合材料、或它们的组合中的至少一种。

9.如权利要求1-8中任一项所述的培养系统，其中，低孔隙率基质包含膨胀含氟聚合物。

10.如权利要求9所述的培养系统，其中，膨胀含氟聚合物是以下中的一种：膨胀氟化乙烯丙烯(eFEP)、多孔全氟烷氧基烷烃(PFA)、膨胀乙烯四氟乙烯(eETFE)、膨胀偏二氟乙烯共四氟乙烯或三氟乙烯聚合物(eVDF-共-(TFE或TrFE))和膨胀聚四氟乙烯(ePTFE)。

11.如权利要求1至10中任一项所述的培养系统，其中，低孔隙率基质是膨胀聚四氟乙烯(ePTFE)基质。

12.如权利要求1至8中任一项所述的培养系统，其中，低孔隙率基质包含膨胀热塑性聚合物。

13.如权利要求12所述的培养系统，其中，膨胀热塑性聚合物是以下中的一种：膨胀聚酯砜(ePES)、膨胀超高分子量聚乙烯(eUHMWPE)、膨胀聚乳酸(ePLA)和膨胀聚乙烯(ePE)。

14.如权利要求1至8中任一项所述的培养系统，其中，低孔隙率基质包含膨胀聚合物。

15.如权利要求14所述的培养系统，其中，膨胀聚合物是膨胀聚氨酯(ePU)。

16.如权利要求1至8中任一项所述的培养系统，其中，低孔隙率基质是膨胀聚对二甲苯(ePPX)。

17.如权利要求11所述的培养系统，其中，PTFE基质具有约0.015g-mm/m²/天或更小的水蒸汽渗透系数，并且通过包括以下步骤的方法形成：(a)制备双轴膨胀PTFE薄膜；(b)使膨胀PTFE薄膜致密化；和(c)将致密化的膨胀PTFE薄膜拉伸。

18.如权利要求17所述的培养系统，其中，在步骤(c)中，在超过PTFE的结晶熔融温度的温度下将致密化的膨胀PTFE薄膜拉伸。

19.如权利要求17或18所述的培养系统，其中，在步骤(b)之前将膨胀PTFE薄膜烧结。