[发明专利]用于嵌入陶瓷件的加热器的涂层导体在审
申请号: | 202180044243.3 | 申请日: | 2021-09-28 |
公开(公告)号: | CN115917722A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 乔尔·霍林斯沃思;兰基山·拉奥·林加姆帕利;潘卡基·哈扎里卡 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H05B1/02;H05B3/28;H05B3/12 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 嵌入 陶瓷 加热器 涂层 导体 | ||
1.一种制造用于半导体处理装置中的台板的方法,所述方法包含:
在加热器上沉积或以其他方式形成涂层,以形成具有涂层的加热器,其中
所述加热器包含上面形成有所述涂层的金属线;
将所述具有涂层的加热器置于粉末中;
将所述粉末压实成内聚性块体,以形成粉末基复合材料;以及
烧结所述粉末基复合材料以形成所述台板,其中所述台板包含嵌入在经烧结的陶瓷材料中的所述加热器。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述涂层使用由原子层沉积、化学气相沉积、电镀、无电镀覆、浸涂、热喷涂或等离子体喷涂、以及物理气相沉积组成的群组的技术沉积在所述加热器上。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中所述涂层沉积到至少约5埃的厚度。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述涂层包含金属、金属氧化物、元素金属、金属氮化物或金属间化合物。
5.一种用于半导体处理装置中的台板,其中所述台板是根据权利要求中所主张的或者本文以其他方式描述的方法制造。
6.一种用于半导体处理装置中的台板,所述台板包含:
具有涂层的加热器,其包含上面具有涂层的金属线;以及
经烧结的陶瓷材料,其中所述具有涂层的加热器被嵌入在所述经烧结的陶瓷材料中。
7.一种用于半导体处理装置中的台板,所述台板包含:
包含金属线的加热器,其中所述金属线没有嵌入其中的碳化物颗粒;以及
经烧结的陶瓷材料,其中所述加热器被嵌入在所述经烧结的陶瓷材料中。
8.一种粉末基复合材料,其用作半导体处理装置中的台板,所述粉末基复合材料包含:
具有涂层的加热器,其包含上面具有涂层的金属线;以及
未经烧结的陶瓷材料,其中所述加热器被嵌入在所述未经烧结的陶瓷材料中。
9.根据权利要求8所述的粉末基复合材料,其中所述涂层具有至少约5埃的厚度。
10.根据权利要求8-9中任一项所述的粉末基复合材料,其中所述涂层包含金属、或金属氧化物、或元素金属、或牺牲涂层、或阻挡涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造