[发明专利]光刻设备、量测系统及其方法

权利要求书

1.一种设备，包括：

照射系统，被配置为生成多个波长的辐射并且照射衬底上的量测标记；

检测系统，被配置为基于从所述量测标记散射的光来检测所述多个波长的光强度；以及

处理电路系统，被配置为：

分析所检测到的光强度以确定所述量测标记的位置，以及

基于所述分析确定所述衬底上的结构的至少一个特性，其中所述量测标记被配置为增强在所述多个波长处的光学响应。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述结构的所述至少一个特性包括所述结构的一个或多个层的厚度。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述量测标记被划分子分段。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述量测标记包括周期性结构，所述周期性结构包括具有宽度彼此不同的多个元件的子结构。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述子结构包括具有不同宽度的两个元件。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述多个元件具有减小/增大的线宽。

7.根据权利要求3所述的设备，其中所述量测标记包括共轭对。

8.根据权利要求3所述的设备，其中所述量测标记包括在第一维度中的周期性结构，所述周期性结构包括具有在第二维度中的周期性的多个元件的子结构，所述第一方向垂直于所述第二方向。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述分析包括基于所检测到的光强度来确定所述量测标记在所述多个波长处的定位变化。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述处理电路系统还被配置为：

基于预定模型确定所述量测标记在所述多个波长处的响应；以及

将所检测到的强度与所建模的响应进行比较，以确定所述至少一个特性。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述处理电路系统还被配置为：

从外部系统获取与所述至少一个特性相对应的数据；

将所述结构的所确定的至少一个特性与所获取的数据进行比较；以及

基于所述比较更新所述预定模型。

12.根据权利要求1所述的设备，其中

所述照射系统还被配置为生成处于不同偏振处的辐射；

所述检测系统还被配置为检测处于所述不同偏振处的光强度；以及

所述分析基于在所述多个波长和所述不同偏振处的所检测到的光强度。

13.一种方法，包括：

用在多个波长处的辐射照射衬底上的量测标记；

在检测器处接收散射辐射，所述散射辐射包括从所述量测标记散射的辐射；

生成表示所接收的散射辐射的强度的检测信号；

分析所述检测信号，以确定所述量测标记的位置；以及

基于所述分析确定所述衬底上的结构的至少一个特性，

其中所述量测标记具有增强的在所述多个波长处的光学响应。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述结构的所述至少一个特性包括所述结构的一个或多个层的厚度。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述量测标记被划分划分子分段。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述量测标记包括周期性结构，所述周期性结构包括具有宽度彼此不同的多个元件的子结构。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述子结构包括具有不同宽度的两个元件。